CN120051099A 一种柔性弱紫外光电突触器件及其制作方法 （浙江大学杭州国际科创中心）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120051099A(43)申请公布日2025.05.27

(21)申请号202510067529.3

(22)申请日2025.01.15

H10K71/00(2023.01)

(71)申请人浙江大学杭州国际科创中心

地址311200浙江省杭州市萧山区经济技

术开发区建设三路733号

(72)发明人李拯郑智遥

(74)专利代理机构杭州华进联浙知识产权代理有限公司33250

专利代理师何晓春

(51)Int.CI.

H10K

B82Y

B82Y

B82Y

H10K

30/60(2023.01)

30/00(2011.01)40/00(2011.01)

15/00(2011.01)85/20(2023.01)

权利要求书1页说明书8页附图3页

(54)发明名称

一种柔性弱紫外光电突触器件及其制作方

法

(57)摘要

CN120051099A本发明涉及一种柔性弱紫外光电突触器件及其制作方法。所述柔性弱紫外光电突触器件由柔性电极衬底、GO薄膜、Zn0纳米线和电极构成。其中，所述器件的GO薄膜和ZnO纳米线构成Zn0/G0异质结构，该结构能够利用二维材料氧化石墨烯中丰富的含氧官能团捕获电子，从而抑制电子空穴的复合。并结合Zn0基材料缺陷密度低、抗辐射能力强、环境友好等诸多优点，有效降低暗电流和噪声电流，实现弱光识别，加强持续光电导现象。所述方法单独设计了Zn0/GO异质结构，并利用湿法转移工艺将所述Zn0/GO异质结构转移到所述柔性电极衬底表面，实现了较低温度下制

CN120051099A

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CN120051099A权利要求书1/1页

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1.一种柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，包括：

柔性电极衬底；

GO薄膜，所述GO薄膜位于所述柔性电极衬底表面；

ZnO纳米线，所述Zn0纳米线位于所述GO薄膜表面；

电极，所述电极阵列分布在所述Zn0纳米线表面。

2.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述Zn0纳米线的厚度为0.5μm-1.5μm。

3.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述Zn0纳米线直径为130nm~150nm、长度为5μm~7μm。

4.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述GO薄膜的厚度为80nm-120nm。

5.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述电极为In电极。

6.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述电极的阵列间距不大于2mm。

7.根据权利要求1所述柔性弱紫外光电突触器件，其特征在于，所述柔性电极衬底为ITO柔性电极衬底。

8.一种柔性弱紫外光电突触器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供柔性电极衬底；

制备GO薄膜；

制备Zn0纳米线；

将所述Zn0纳米线转移到所述GO薄膜表面，形成Zn0/GO异质结构；

利用湿法转移工艺将所述Zn0/GO异质结构转移到所述柔性电极衬底表面；

在所述Zn0纳米线表面制备电极。

9.根据权利要求8所述制作方法，其特征在于，利用真空抽滤方法制备所述GO薄膜。

10.根据权利要求8所述制作方法，其特征在于，利用化学气相沉积工艺制备所述ZnO纳米线。

CN120051099A说明书1/8页

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一种柔性弱紫外光电突触器件及其制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及光电信息材料技术领域，尤其涉及一种柔性弱紫外光电突触器件及其制作方法。

背景技术

[0002]人脑神经信息活动具有高效能量利用、大规模并行、分布式存储和处理、自主学习、低功耗等优点。研究表明，人脑的这些优良特性主要得益于神经系统中的生物突触，它们具有计算和存储能力。人们非常希望模拟突触功能，执行与人脑类似的低能量和密集互联的神经网络算法。而人工视觉系统是目前的一个研究重点。

[0003]目前，人工视觉系统通常包括用于获取数据的数字图像传感器、用于储存视觉信息的存储单元以及执行图像处理任务的处理单元。当前人工视觉系统硅基CMOS图像传感器可以连续不断地实时监测图像，但是这个过程会产生大量冗余数据，并占据大量存储空间。此外，