CN120008659A 增强钻石激发效率的超表面结构、制作方法与量子传感器 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN120008659A(43)申请公布日2025.05.16

(21)申请号202311528077.1

(22)申请日2023.11.16

(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

(72)发明人武震宇陈浩王楠

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

专利代理师李仪萍

(51)Int.CI.

G01D5/26(2006.01)

G01D5/28(2006.01)

GO1D5/30(2006.01)

G01D5/34(2006.01)

G01D5/353(2006.01)

权利要求书2页说明书9页附图11页

(54)发明名称

增强钻石激发效率的超表面结构、制作方法与量子传感器

(57)摘要

CN120008659A本发明提供一种增强钻石激发效率的超表面结构、制作方法与量子传感器，该增强钻石激发效率的超表面结构包括钻石基底和超表面层，其中，钻石基底具有NV色心，超表面层位于钻石基底上表面，超表面层包括周期排布的纳米柱阵列，垂直的入射光照射入超表面层时能够发生衍射偏转，衍射偏转的偏转角度大小包含于钻石基底的全内反射角范围内。本发明中入射光经超表面层衍射偏转后，以全内反射角偏转耦合至钻石基底，在钻石基底中发生全内反射以提高光路传输路径，使得激发光能够与大量NV色心相互作用提高钻石荧光激发效率，提高钻石NV色心磁探测

CN120008659A

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CN120008659A权利要求书1/2页

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1.一种增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于，包括：

钻石基底，所述钻石基底具有NV色心，所述钻石基底呈长方体结构或类长方体结构，所述钻石基底的侧壁垂直度为89°~91°;

超表面层，位于所述钻石基底的上表面，所述超表面层包括周期排布的纳米柱阵列，当垂直的入射光照射入所述超表面层时能够发生从低折射率介质到高折射率介质的衍射偏转，所述衍射偏转的偏转角度大小包含于所述钻石基底的全内反射角范围内。

2.根据权利要求1所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：所述钻石基底的表面粗糙度小于2nm。

3.根据权利要求1所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：所述纳米柱阵列包括第一尺寸纳米柱和第二尺寸纳米柱，在沿所述第一尺寸纳米柱指向所述第二尺寸纳米柱的方向上，所述第一尺寸纳米柱和所述第二尺寸纳米柱周期交替排布。

4.根据权利要求3所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：在沿所述第一尺寸纳米柱指向所述第二尺寸纳米柱的方向上，相邻的所述第一尺寸纳米柱之间的距离范围为200-550nm。

5.根据权利要求3所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：所述第一尺寸纳米柱的横截面积大于所述第二尺寸纳米柱的横截面积，形成不对称散射结构单元体。

6.根据权利要求3所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：所述钻石基底的上表面呈长方形结构，所述钻石基底的上表面包括相接的第一侧边和第二侧边，所述第一尺寸纳米柱指向所述第二尺寸纳米柱的方向与所述第一侧边具有夹角，且所述第一尺寸纳米柱指向所述第二尺寸纳米柱的方向与所述第二侧边具有夹角。

7.根据权利要求1所述的增强钻石激发效率的超表面结构，其特征在于：所述超表面层的材质包括二氧化钛、磷化镓、磷化铟、单晶硅或多晶硅。

8.一种量子传感器，其特征在于：所述量子传感器包括权利要求1-7中任一项所述的增强钻石激发效率的超表面结构。

9.一种增强钻石激发效率的超表面结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一钻石基底，所述钻石基底具有NV色心，所述钻石基底呈长方体结构或类长方体结构，所述钻石基底的侧壁垂直度为89°~91°;

于所述钻石基底的上表面形成超表面材料层；

于所述超表面材料层的上表面形成抗蚀剂层，并图形化所述抗蚀剂层以定义出超表面层的形貌；

刻蚀所述超表面材料层以形成所述超表面层，所述超表面层包括周期排布的纳米柱阵列，当垂直的入射光照射入所述超表面层时能够发生从低折射率介质到高折射率介质的衍射偏转，所述衍射偏转的偏转角度大小包含于所述钻石基底的全内反射角范围内。

10.根据权利要求9所述的增强钻石激发效率的超表面结构的制作方法，其特征在于：所述纳米柱阵列包括第