CN119995553A 一种mems电容式谐振器结构及其制作方法 （中国科学院上海微系统与信息技术研究所）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119995553A(43)申请公布日2025.05.13

(21)申请号202411961117.6

(22)申请日2024.12.30

(71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术研究所

地址200050上海市长宁区长宁路865号

(72)发明人余豪孙珂杨恒缪晔辰

(74)专利代理机构上海泰博知识产权代理有限公司31451

专利代理师宋旭

(51)Int.CI.

HO3H9/24(2006.01)

HO3H9/02(2006.01)

HO3H3/02(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图9页

(54)发明名称

一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法

(57)摘要

CN119995553A本发明涉及一种MEMS电容式谐振器结构及其制作方法，该MEMS谐振器由两个Lamé模态矩形谐振子和多根纵向振动细长梁强耦合而成，其中Lamé模态矩形谐振子由2n+1(n为正整数)个正方形Lamé模态谐振子组合。纵向振动细长梁与Lamé模态矩形谐振子的连接点在单个Lamé模态正方形谐振子的中心处，且纵向振动细长梁对称分布，使得整个谐振结构为中心对称结构。谐振结构的锚点可以设置在单个Lamé模态正方形谐振子的中心位置，也可以设置在Lamé模态矩形谐振子的四角，还可设置在纵向振动细长梁的中心节点位置。本发明通过强耦合设计将多个Lamé模态正方形谐振子组合而成的矩形谐振子增大了电

CN119995553A

102

102

CN119995553A权利要求书1/2页

2

1.一种MEMS电容式谐振器结构，包括谐振结构、谐振结构的锚点、第一电极及第二电极，其特征在于，

所述谐振结构由超重掺杂硅片制作而成，所述超重掺杂硅片自下而上由衬底硅片、绝缘层和结构层硅片组成，所述衬底硅片和结构层硅片均为低阻硅，

所述谐振结构的结构层硅片包括两个矩形平板及将两个所述矩形平板相连的纵向振动细长梁，实现强耦合，

所述矩形平板为Lamé模态振动而作为振子，其尺寸满足L=(2n+1)w,其中L为矩形平板的长度，w为矩形平板的宽度，n为正整数，使矩形平板实际由2n+1个Lamé模态振动的正方形谐振子并排连接组成，

两个矩形平板互相平行布置，所述纵向振动细长梁将两个矩形平板相连，所述纵向振

动细长梁与所述矩形平板的连接点中心距离所述矩形平板边缘的长度为其中m为整数且m≤n,使所述连接点的中心实际位于单个正方形谐振子边线的中点，

所述纵向振动细长梁的数量且呈中心对称布置，

所述纵向振动细长梁的长度与所述矩形平板的宽度的比值为固定值，当纵向振动细长梁沿100晶向族分布时，两者的比值为,其中G是以110晶向建立平面坐标系时xy平面的剪切模量，E为材料100晶向上的杨氏模量，

若干所述锚点呈中心对称分布于所述谐振结构上，所述锚点用于连接所述衬底硅片及所述矩形平板。

2.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，两个所述矩形平板的尺寸相同。

3.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，所述矩形平板的宽度大于厚度的三倍。

4.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，当所述纵向振动细长梁的数量为奇数时，其中一根所述纵向振动细长梁位于所述矩形平板长度方向的中心处。

5.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，所述锚点为固支点、材质为多晶硅，所述锚点制作于单个所述正方形谐振子的中心处，若干所述锚点呈中心对称分布于所述谐振结构上，所述第二电极自所述衬底硅片底部引出。

6.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，由所述绝缘层作为锚点将所述衬底硅片及矩形平板相连，所述锚点设于所述矩形平板四角的外部，所述锚点与所述矩形平板通过细长连接梁相连，若干所述锚点呈中心对称分布于所述谐振结构上，所述第二电极设于所述锚点对应的结构层硅片的顶部。

7.根据权利要求1所述的一种MEMS电容式谐振器结构，其特征在于，由所述绝缘层作为锚点将所述衬底硅片及矩形平板相连，所述锚点设于所述纵向振动细长梁中点的一侧，两根所述纵向振动细长梁的锚点布置在以所述谐振结构中点为中心靠外的一侧，所述锚点与所述矩形平板通过