CN118507551A 太阳能电池及其制作方法以及光伏组件 (天合光能股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-01-29 发布于重庆
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CN118507551A 太阳能电池及其制作方法以及光伏组件 (天合光能股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118507551A

(43)申请公布日2024.08.16

(21)申请号202410673338.7

(22)申请日2024.05.28

(71)申请人天合光能股份有限公司

地址213031江苏省常州市新北区天合光

伏产业园天合路2号

(72)发明人殷志豪雍文炯王永恒李宏伟

霍亭亭杨广涛

(74)专利代理机构华进联合专利商标代理有限

公司44224

专利代理师王花花

(51)Int.Cl.

H01L31/0224(2006.01)

H01L31/0216(2014.01)

H01L31/18(2006.01)

H01L31/042(2014.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

太阳能电池及其制作方法以及光伏组件

(57)摘要

本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法

以及光伏组件。该太阳能电池包括基底、复合结

构层和栅线结构;复合结构层设置于所述基底的

至少一侧,所述复合结构层包括第一减反层和导

电层,所述第一减反层在所述基底上的正投影与

所述导电层在所述基底上的正投影不存在交叠;

所述栅线结构与所述导电层电连接。如此,太阳

能电池能够综合减反层的光学性能和导电层的

电学性能,使太阳能电池能够兼顾光学和电学性

能,提高太阳能电池对光线的利用率,提高太阳

能电池的光生电流以及光生电流的传输效率,继

而利于提高太阳能电池的转换效率。

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C

CN118507551A权利要求书1/2页

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:

基底;

复合结构层,设置于所述基底的至少一侧,所述复合结构层包括第一减反层和导电层,

所述第一减反层在所述基底上的正投影与所述导电层在所述基底上的正投影不存在交叠;

栅线结构,所述栅线结构与所述导电层电连接。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反层在基底上的正投影

与所述导电层在所述基底上的正投影呈交替布置。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反层与所述导电层同层

设置。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述复合结构层还包括第二减反

层;所述第二减反层位于所述导电层背离基底的一侧,或者,所述第二减反层位于所述导电

层靠近所述基底的一侧。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二减反层与所述第一减反层

同层设置。

6.根据权利要求1至5任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述栅线结构包括第一

栅线,所述第一栅线在所述基底上的正投影与所述第一减反层在所述基底上的正投影存在

交叠;且所述第一栅线在所述基底上的正投影与所述导电层所述基底上的正投影存在交

叠。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一减反层位于所述第一栅线

靠近所述基底的一侧,所述第一栅线穿过第一减反层与基底电连接;

所述导电层位于所述第一栅线靠近所述基底的一侧;或者,所述导电层位于所述第一

栅线背离所述基底的一侧;所述导电层与所述第一栅线电连接。

8.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述栅线结构包括第二栅线,所述

第一栅线与所述第二栅线相交;所述第二栅线位于所述复合结构层背离基底的一侧。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二栅线在所述基底上的正投

影位于所述第一减反层在所述基底上的正投影范围

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