探秘Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料：制备工艺与性能的深度剖析.docxVIP

探秘Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料：制备工艺与性能的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的浪潮中，半导体材料作为关键基础材料，广泛应用于电子、能源、通信、医疗等众多领域，推动着各领域的技术革新与进步。其中，Ⅱ-Ⅵ族低维纳米半导体材料以其独特的物理、化学和生物学特性，在纳米器件和生物医药等领域展现出巨大的潜在应用价值，成为当今纳米技术研究的焦点。

Ⅱ-Ⅵ族半导体材料主要由锌（Zn）、镉（Cd）、汞（Hg）等Ⅱ族元素与硫（S）、硒（Se）、碲（Te）等Ⅵ族元素组成，具有直接带隙的特性，其带隙能量范围较宽，可覆盖从近紫外到近红外的光谱区域，这使得它们在光电子领域表