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电子科技大学微电子专业《模拟集成电路》期末试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、

简述双极晶体管和MOSFET在模拟集成电路设计中的主要区别，并说明在电路设计中选择使用哪种器件类型通常取决于哪些因素。

二、

描述电流源电路在模拟集成电路中的主要作用。列举两种常用的有源电流源电路拓扑结构，并简要比较它们的特性和适用场景。

三、

分析共源放大器电路的频率响应特性。指出影响其低频响应和高频响应的主要因素，并简述密勒效应是如何影响其高频性能的。

四、

对于一个给定的多级放大器电路（可自行设定拓扑结构，如两级共源共栅放大器），要求：

1.推导其小信号电压增益Av的表达式。

2.推导其输入电阻Rin和输出电阻Rout的表达式。

3.说明该电路在高频段增益下降的主要原因。

五、

解释什么是反馈放大器，并说明引入负反馈对放大器性能（如增益、输入/输出阻抗、频率响应）的主要影响。

六、

简要描述差分放大器的工作原理。指出其主要性能指标（如差模增益Ad、共模增益Ac、共模抑制比CMRR）的定义，并说明提高CMRR的主要途径。

七、

阐述放大器噪声分析的基本方法。在一个放大器电路中，已知其内部产生的热噪声电压有效值Vn_thermal=1nV/√Hz，散粒噪声电流有效值In_reduced=10fA/√Hz（已考虑源阻抗影响），输入信号源内阻Rs=1kΩ，输入参考噪声温度Tr=300K。求该放大器在源电阻Rs上的总噪声电压有效值Vn_total。

八、

分析共源共栅放大器电路的性能特点。与单独的共源放大器相比，它在输入阻抗、输出阻抗和频率响应方面有何优势？请简述其工作原理并解释这些优势的来源。

九、

设计一个简单的共源放大器电路，要求实现以下指标：小信号电压增益Av=-10，输入电阻Rin≥1MΩ，输出电阻Rout≤1kΩ。给出电路拓扑结构简图，并标出关键器件类型及需要选择的典型值范围（如MOSFET的W/L比、偏置电流等）。无需进行详细计算，只需说明设计思路和关键参数选择依据。

十、

说明什么是电源抑制比（PSRR），并简述影响模拟集成电路PSRR的主要因素。对于一个包含源极跟随器的两级放大器（第一级为放大级，第二级为源极跟随器），定性分析该电路的PSRR相对于仅由放大级决定的情况，是有所改善还是有所恶化？请简述理由。

试卷答案

一、

双极晶体管主要依靠多数载流子（电子和空穴）导电，具有电流控制特性，输入电阻较低，对温度和电压敏感；MOSFET主要依靠多数载流子（电子或空穴）导电，具有电压控制特性，输入电阻极高，功耗相对较低，对温度和匹配性更敏感。选择器件类型取决于所需电路特性（如输入阻抗、噪声性能、功耗、速度）、设计复杂度、成本以及工艺兼容性等因素。

二、

电流源电路在模拟集成电路中主要提供稳定且精确的偏置电流，作为放大器的有源负载以提高增益和改善频率响应，或为其他电路模块提供定制的电源。常见的有源电流源电路拓扑结构包括：镜流源（CurrentMirror）和威尔逊电流源（WilsonCurrentSource）。镜流源结构简单，适用于对精度要求不是特别高的场合；威尔逊电流源具有更高的输出阻抗和更好的温度稳定性，适用于需要高精度电流源的场景。

三、

共源放大器电路的频率响应主要受密勒效应、晶体管极间电容（Cgs,Cgd）和电路寄生电容的影响。低频响应主要由偏置电路的极点决定，或受输入耦合电容和输出负载电阻决定的低频极点影响。高频响应主要由晶体管的极间电容（特别是Cgd通过密勒效应被放大）与输入/输出电阻形成的低通滤波器决定，导致增益随频率升高而下降，并产生相移。

四、

1.假设电路为两级共源共栅放大器：

*第一级（共源）：Av1=-gm1*(ro1//RL1)，其中gm1为第一级跨导，ro1为输出电阻，RL1为第一级负载（可简化为下一级输入阻抗Rin2）。

*第二级（共栅）：Av2=gm2*(ro2//RL2)，其中gm2为第二级跨导，ro2为输出电阻，RL2为输出负载。

*总电压增益：Av=Av1*Av2=(-gm1*(ro1//Rin2))*(gm2*(ro2//RL2))。

*若Rin2远大于ro1，则Av≈-gm1*gm2*(ro1*ro2)。

2.输入电阻主要由第一级的输入电阻决定：

*Rin≈rpi1+(ro1//RL1)，其中rpi1为第一级基极输入电阻。若RL1很大，则Rin≈rpi1。

*rpi1=vbe/ib≈VT/gm1。

*若考虑第二级