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2026年高级工艺工程师考试大纲含答案

一、单选题（共20题，每题1分，总计20分）

1.在半导体制造工艺中，以下哪种材料常用于光刻胶的成膜过程？

A.硅烷（SiH?）

B.氮化硅（Si?N?）

C.二氧化硅（SiO?）

D.苯甲酮（C?H?COCH?）

答案：D

解析：苯甲酮是常见的光刻胶成膜剂，用于提高光刻胶的附着力和成膜性。

2.在晶圆减薄工艺中，以下哪种方法不会导致表面损伤？

A.化学机械抛光（CMP）

B.激光减薄

C.等离子刻蚀

D.热氧化

答案：A

解析：CMP通过机械和化学作用去除材料，表面损伤较小；激光减薄和等离子刻蚀可能产生热损伤；热氧化会改变表面化学性质。

3.以下哪种设备常用于检测晶圆表面的缺陷？

A.干法刻蚀机

B.电子束曝光机

C.原子力显微镜（AFM）

D.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

答案：C

解析：AFM可高精度检测表面形貌和缺陷；干法刻蚀机和PECVD是制造设备；电子束曝光机用于图案化。

4.在薄膜沉积工艺中，以下哪种技术常用于提高薄膜的均匀性？

A.分子束外延（MBE）

B.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

C.低压力化学气相沉积（LPCVD）

D.热蒸发

答案：B

解析：PECVD通过等离子体增强，提高沉积速率和均匀性；MBE和热蒸发均匀性较差；LPCVD均匀性一般。

5.以下哪种材料常用于深紫外（DUV）光刻胶的成膜？

A.聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）

B.聚酰亚胺（PI）

C.聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）

D.聚乙烯醇（PVA）

答案：A

解析：PMMA是常见的DUV光刻胶材料，具有高灵敏度和成膜性。

6.在晶圆清洗工艺中，以下哪种化学品常用于去除有机污染物？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氟酸（HF）

C.去离子水（DI）

D.TMAH（四甲基氢氧化铵）

答案：D

解析：TMAH是常用的有机溶剂去除剂；硫酸和氢氟酸用于无机污染物去除；去离子水用于冲洗。

7.以下哪种工艺常用于提高晶圆的平整度？

A.湿法刻蚀

B.化学机械抛光（CMP）

C.等离子体刻蚀

D.热氧化

答案：B

解析：CMP能有效平整晶圆表面；湿法刻蚀和等离子体刻蚀可能产生凹凸不平；热氧化改变表面性质但不平整。

8.在半导体封装工艺中，以下哪种材料常用于底部填充胶（BGA）？

A.硅酮（Silicone）

B.聚酰亚胺（PI）

C.腈-丁二烯橡胶（NBR）

D.聚乙烯（PE）

答案：A

解析：硅酮具有高弹性和粘附性，适合BGA底部填充。

9.以下哪种设备常用于检测薄膜的厚度？

A.扫描电子显微镜（SEM）

B.原子力显微镜（AFM）

C.薄膜厚度测量仪（ELM）

D.能量色散X射线光谱仪（EDX）

答案：C

解析：ELM专门用于测量薄膜厚度；SEM和AFM用于形貌检测；EDX用于元素分析。

10.在光刻工艺中，以下哪种方法常用于提高分辨率？

A.掩模版对准

B.减薄液使用

C.等离子体曝光

D.光刻胶预烘

答案：C

解析：等离子体曝光能提高分辨率；其他方法主要改善均匀性和附着力。

11.在晶圆键合工艺中，以下哪种技术常用于倒装芯片（Flip-Chip）？

A.热压键合

B.激光键合

C.电子束键合

D.等离子键合

答案：B

解析：激光键合适用于倒装芯片的快速、高可靠性连接。

12.在薄膜沉积工艺中，以下哪种参数对薄膜质量影响最大？

A.温度

B.压力

C.沉积速率

D.化学品流量

答案：A

解析：温度直接影响化学反应速率和薄膜性质；压力、沉积速率和流量也有影响，但温度最关键。

13.在湿法刻蚀工艺中，以下哪种化学品常用于去除硅？

A.硫酸（H?SO?）

B.氢氟酸（HF）

C.硝酸（HNO?）

D.盐酸（HCl）

答案：B

解析：HF是硅的强刻蚀剂；硫酸、硝酸和盐酸主要用于其他材料。

14.在半导体封装工艺中，以下哪种技术常用于功率器件？

A.芯片键合

B.倒装芯片

C.扁平封装（QFP）

D.直接覆晶（COG）

答案：B

解析：倒装芯片适合高功率器件的散热需求。

15.在光刻胶去除工艺中，以下哪种化学品常用于去除未曝光的光刻胶？

A.氢氟酸（HF）

B.TMAH

C.硫酸（H?SO?）

D.去离子水（DI）

答案：B

解析：TMAH是光刻胶的溶剂，用于去除未曝光部分。

16.在晶圆清洗工艺中，以下哪种方法常用于去除金属污染物？

A.SC1清洗

B.DHF清洗

C.SPM清洗

D.RCA清洗

答案：C

解析：SPM清洗专门去除金属污染物；SC1、DHF和RCA用于其