GaNHEMT管芯选型指南
1.目的
*的技术特点和适用场景进行说明,以方便
对氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)不同系列管芯
客户结合实际用途选择器件。
2.管芯工艺特点
能讯的HEMT管芯基于碳化硅(SiC)基的氮化镓(GaN)工艺,适用于对高功率附加效率(PAE)、高输
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