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纳米碳化硅薄膜的制备工艺与光学特性调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，新型材料的研究与开发在现代工业中扮演着愈发关键的角色。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体的核心代表，凭借其独特而优异的性能，在众多领域展现出巨大的应用潜力，成为材料科学领域的研究热点之一。

碳化硅是一种由硅和碳以共价键结合而成的化合物，其基本结构单元为相互穿插的SiC?和CSi?四面体，这些四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连，构建起稳定的三维结构。SiC存在α和β两种晶型，其中β-SiC为立方晶系，Si和C分别组成面心立方晶格；α-SiC则包含4H、