演示文稿第四章掺杂.pptVIP

第30页，共49页。4.3离子注入机离子注入设备包含以下五个部分： ◆离子源:产生杂质离子的装置 ◆吸引电极：将产生的离子引出◆质量分析器：引出的离子中含有各种不同的成分，通过质量分析器可将所需的离子找出来 ◆加速管：离子通过一直流高压电场被加速，获得所需的能量。 ◆扫描系统：离子束在X，Y两个方向来回扫描 ◆终端靶室电荷积分：记录硅片接受的注入离子数量。第31页，共49页。第32页，共49页。第33页，共49页。第34页，共49页。第35页，共49页。第1页，共49页。第四章掺杂第2页，共49页。4.1.1扩散 扩散是物质的一个基本性质，描述了一种物质在另一种物质中运动的情况。扩散是浓度高的地方的原子、分子或离子向浓度低的地方运动造成的。扩散的粒子流密度（J）和扩散系数（D）及扩散粒子的浓度梯度有关。J＝－D?N（x,t)/?x在半导体制造中，利用高温扩散驱动杂质穿过硅晶格。扩散分为三种，即气态、液态和固态。第3页，共49页。扩散现象第4页，共49页。4.1.2杂质在晶体硅中的固溶度溶质进入到溶剂晶体中，晶体结构保持不变，这样的晶体叫固溶体。溶质元素在晶体中的最大浓度叫固溶度，最大固溶度给杂质在硅中的扩散设置了表面浓度的上限。含施主或受主杂质的半导体（硅）是替位式固溶体替位式固溶体必要条件：溶质，溶剂原子大小接近；（硅原子半径1.17，硼0.89，磷1.10A0）第5页，共49页。4.1.3杂质扩散的机制：杂质扩散分为替位式扩散和间隙式扩散两种。占据晶格位置的外来原子称为替位杂质原子。替位杂质要运动到近邻的晶格位置，必须通过互换位置才能实现。（见图）间隙式杂质（半径较小的原子）在晶格中的扩散运动是以间隙方式进行的。间隙式杂质原子只在势能极小值的位置附近作热振动，平均震动能量≈KT(室温＝0.026ev）.而要在两个原子间穿过，就要越过一个势垒（势垒高度Wｉ一般为0.6－1.2ev）1200℃高温下KT＝0.13ev，因此只有靠热涨落间隙式杂质原子才能跨过势垒，跳到临近的间隙位置。第6页，共49页。替位杂质原子的运动间隙式杂质在晶格中的扩散运动第7页，共49页。互换位置一般很难实现，如有空位存在就较易发生；但当掺杂浓度较高时，施主或受主杂质诱导出大量的荷电空位，从而增大了扩散系数。具有高扩散率的杂质，如金（Au）、铜（Cu）和镍（Ni），容易利用间隙运动在硅的晶格空隙中移动。移动速度较慢的杂质，如半导体搀杂常用的砷（Ar）和磷（P），通常利用替代运动填充晶格中的空位。第8页，共49页。4.1.4杂质分布恒定表面源：在扩散过程中硅片表面的杂质浓度始终保持不变Ns(x,t)=Nserfc(x/2(Dt)1/2)Ns表示表面杂质恒定浓度（原子/cm3),Erfc-余误差函数，D-扩散系数（cm2/s）,x表示距表面的垂直距离,t表示扩散时间。结深：Xj＝A(Dt)1/2A和NB/ＮＳ有关的常数，。第9页，共49页。有限表面源：在进行扩散工艺时，先在硅片表面淀积一层杂质，然后以这层杂质作为扩散的杂质源进行扩散。Ns(x,t)=(Q/(πDt)1/2)e-x2/4Dte-x2/4Dt称为高斯函数结深：Xj＝A(Dt)1/2A是和NB/ＮＳ有关的常数，但两种扩散类型的A值不同。第10页，共49页。硅中固态杂质的热扩散需要三个步骤：预淀积、推进、激活。在预淀积过程中，硅片被送入高温扩散炉，杂质原子从源转移到扩散炉内。炉温通常设为800到1100℃，持续10到30分钟。杂质仅进入了硅片中很薄的一层，且其表面浓度是恒定的。在硅表面上应生长一薄层氧化物（capoxide）以防止杂质原子从硅中扩散出去。预淀积为整个扩散过程建立了浓度梯度。表面的杂质浓度最高，并随着深度的加大而减小4.1.5热扩散工艺第11页，共49页。再分布---热扩散的第二步推进高温过程（1000到1250℃），使淀积的杂质穿过硅晶体，在硅片中形成期望的结深。这个过程并不向硅片中增加杂质，但是高温环境下形成的氧化物会影响推进过程中杂质的扩散：一些杂质（如硼）趋向于进入生长的氧化物层；而另一些杂质（如磷）会被推离SiO2。这种由硅表面氧化引起的杂质在Si－SiO2浓度的改变被称为杂质分凝。