MOSFET特性分析及电路参数符号约定练习.pdfVIP

第1讲练习

1.MOSFET是一种具有三个端子的器件：栅极、源极和漏极。通过调节栅极与源极之间

的电压差（栅源电压）和漏极与源极之间的电压差（漏源电压），可以控制MOSFET

的漏极电流（I）。这些参数之间的关系如下面的图所示：

D

三极管区饱和区

区域区域

增加

栅极到‑

ID源极

电压

漏极到源极电压

(a)假设栅极到源极电压保持不变，MOSFET是否表现为线件？(b)假设栅

极到源极电压保持不变，能否确定MOSFET运行大致线性的操作区域？

2.下面电路元件的参考电压极性或参考电流方向已给出。为的参数适当的符号约定。

I1I2

电流电压

源+-源

++

1AV3V33V

-

-+

Lecture1Exercises

1.AMOSFETisadevicewiththreeterminals:thee,thesource,andthedrain.Onecan

controlthedraincurrent(ID)ofaMOSFETbyadjustingthevoltagedifferenceweenthe

eandsource(thee-to-sourcevoltage)andthevoltagedifferenceweenthedrainand

source(thedrain-to-sourcevoltage).Therelationshipsweenthesethreeparametersare

shownapproximatelyinthefigurebelow:

TriodeSaturation

regionregion

Increasing

e-to-

ID