宣贯培训(2026)GBT 41153-2021《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法》.pptxVIP

;目录;;;;;;;为何选择SIMS？——对标其他痕量分析技术，解析其在碳化硅杂质检测中的不可替代性优势

对于碳化硅中ppb级的痕量杂质分析，常见的技术如辉光放电质谱（GD-MS）、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）等虽各有特点，但SIMS展现出独特的综合优势。GD-MS虽灵敏度高，但深度分辨率有限，且对某些轻元素（如氮）分析存在挑战。ICP-MS通常需要复杂的样品消解，可能引入污染或损失，且无法提供深度分布信息。而SIMS的优势在于：1)极高的检测灵敏度：可达到ppb甚至亚ppb量级，满足半导体级材料要求；2)出色的深度分辨率：可达纳米级别，能清晰呈现杂质