肖特基MOS晶体管关键技术的深度剖析与前沿探索.docxVIP

肖特基MOS晶体管关键技术的深度剖析与前沿探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在半导体技术飞速发展的当下，集成电路作为现代电子系统的核心，其性能的提升对于推动电子设备的小型化、高性能化和低功耗化起着关键作用。而肖特基MOS晶体管作为集成电路中的重要组成部分，凭借其独特的物理特性和结构优势，成为了半导体领域的研究热点。

肖特基MOS晶体管是在传统MOS晶体管的基础上，引入肖特基接触而形成的新型器件。相较于传统的PN结型MOS晶体管，肖特基MOS晶体管具有一系列显著优势。首先，金属与半导体形成的肖特基接触具有超浅结的特点，能有效抑制在器件尺寸大幅度降低时困扰常规MOSFET的短沟道效应和源漏穿通问题，为MOSFET继续减小尺寸提供了可能性，这对于满足日益增长的对集成电路高集成度的需求至关重要。随着电子设备不断向小型化发展，芯片上需要集成更多的晶体管，肖特基MOS晶体管的这一特性使其能够在有限的空间内实现更高的性能。其次，金属与半导体接触的高电导性，可以进一步减小漏源电阻，降低器件的导通电阻，从而减少能量损耗，提高电路的运行效率。在当今对能源效率要求越来越高的背景下，降低功耗成为了集成电路发展的重要目标之一，肖特基MOS晶体管的低导通电阻特性正好契合了这一需求。再者，肖特基源漏MOSFET中不存在寄生的体三极管效应，响应速度更快，可以更加高频化，这使得它在高频电路应用中具有巨大的潜力，如5G通信、物联网等领域对高频器件的需求不断增加，肖特基MOS晶体管有望为这些领域的发展提供有力支持。此外，肖特基MOS晶体管不需要离子注入来形成n+或p+的源漏区，高温退火也就随之取消，工艺简单，同时避免了离子注入和退火带来的晶格损伤问题，有助于获得高的界面质量，从而获得高质量的介质层，提高器件的耐压和可靠性。

尽管肖特基MOS晶体管具有诸多优点，但其自诞生之初就存在两大显著缺点，即开态电流小和关态漏电大。当肖特基源漏MOSFET的漏源电压vds＞0时，肖特基源电极与半导体形成的肖特基接触势垒反偏使耗尽区扩宽，使得即使在栅电极和肖特基源电极之间施加正栅源电压vgs时，在漏电极和肖特基源电极之间也未能形成完整且高浓度的电子导电通道，在靠近肖特基源电极的区域始终存在一定的肖特基势垒高度，这有限的肖特基势垒高度抑制了电子载流子的输运，使得仅有少部分的电子载流子通过隧穿效应形成电流，导致开态电流比同等条件下的PN结MOSFET开态电流小，常规PN结MOSFET的开态电流可以达到几十安～几百安量级，而同等条件下的肖特基源漏MOSFET的开态电流只能达到毫安量级甚至更低；漏电流包括了来自源结通过衬底传输的热电子发射电流和来自源结的隧穿电流，这使得关态漏电较大。这两个缺点，尤其是开态电流小的问题，严重制约了肖特基源漏MOSFET的广泛应用，至今仍未见其商业化应用。

对肖特基MOS晶体管关键技术的研究具有重大的现实意义。从学术理论角度来看，深入研究肖特基MOS晶体管有助于深化对半导体物理和器件物理的理解，为新型半导体器件的研发提供理论基础。通过探索肖特基势垒的形成机制、载流子的输运特性以及器件结构对性能的影响等，可以拓展半导体器件的研究领域，推动半导体学科的发展。从实际应用层面而言，解决肖特基MOS晶体管存在的问题，实现其性能的优化和提升，将为集成电路产业带来新的发展机遇。它有望应用于高性能计算、人工智能、物联网、5G通信等众多领域，推动这些领域的技术革新和产品升级。在高性能计算领域，肖特基MOS晶体管的低功耗和高速度特性可以提高芯片的运算速度和降低能耗，提升计算机的性能；在人工智能领域，能够满足对大量数据快速处理的需求，加速人工智能算法的运行；在物联网和5G通信领域，其高频特性和高可靠性可以确保设备之间的高效通信和稳定运行。因此，开展肖特基MOS晶体管关键技术研究迫在眉睫，对于提升我国在半导体领域的技术水平和国际竞争力具有重要的战略意义。

1.2国内外研究现状

国外对肖特基MOS晶体管的研究起步较早，在理论研究和实验探索方面都取得了丰富的成果。美国、日本、韩国等国家的科研机构和企业在该领域投入了大量的资源，处于国际领先地位。美国的一些知名高校和科研机构，如斯坦福大学、加州大学伯克利分校等，通过理论分析和数值模拟，深入研究了肖特基势垒的形成机制、载流子的输运特性以及器件的性能优化方法。他们利用先进的半导体物理模型和计算方法，对肖特基MOS晶体管的工作原理进行了详细的剖析，为器件的设计和改进提供了理论依据。同时，这些机构还开展了大量的实验研究，通过制备不同结构和工艺的肖特基MOS晶体管，测试其电学性能，验证理论模型的正