CN114649349A 显示基板及其制作方法、显示面板 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114649349A(43)申请公布日2022.06.21

(21)申请号202210277014.2

(22)申请日2022.03.21

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人杨维

(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112

专利代理师王婷姜春咸

(51)Int.CI.

HO1L27/12(2006.01)

HO1L21/77(2017.01)

GO2F1/1368(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图1页

(54)发明名称

显示基板及其制作方法、显示面板

(57)摘要

CN114649349A本申请提供一种显示基板及其制作方法、显示面板，属于显示技术领域。本申请的显示基板包括：半导体层设置在衬底基板上，第一薄膜晶体管的有源层位于半导体层；绝缘层，设置在半导体层背离衬底基板的一侧；第一导电层，设置在绝缘层背离半导体层的一侧，第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于第一导电层，第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿绝缘层的层间过孔与第一薄膜晶体管的有源层连接；显示电极设置于第一导电层背离衬底基板的一侧，并且与第一薄膜晶体管的源极或漏极电连

CN114649349A

CN114649349A权利要求书1/2页

2

1.一种显示基板，其具有显示区，所述显示基板包括衬底基板，以及设置在所述衬底基板、且位于所述显示区的多个像素单元；所述像素单元包括第一薄膜晶体管和显示电极；其特征在于，所述显示基板包括：

半导体层，设置在所述衬底基板上，所述第一薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层；绝缘层，设置在所述半导体层背离所述衬底基板的一侧；

第一导电层，设置在所述绝缘层背离所述半导体层的一侧，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第一导电层，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极均为透明电极，并且通过贯穿所述绝缘层的层间过孔与所述第一薄膜晶体管的有源层连接；

所述显示电极设置于所述第一导电层背离所述衬底基板的一侧，并且与所述第一薄膜晶体管的源极或漏极电连接。

2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；其中，所述第一绝缘层设置在所述半导体层背离所述衬底基板一侧，所述第二绝缘层设置在所述第一绝缘层背离所述半导体层一侧，以及所述第三绝缘层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧。

3.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括第二导电层，所述第二导电层设置在第一绝缘层背离所述衬底基板的一侧，并且所述第一薄膜晶体管的栅极位于所述第二导电层。

4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，其具有非显示区，所述显示基板还包括设置在所述衬底基板且位于所述非显示区的驱动电路；所述驱动电路包括第二薄膜晶体管；其中，

所述第二薄膜晶体管的有源层位于所述半导体层，栅极位于所述第二导电层。

5.如权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有第三导电层，所述第三导电层设置在第二绝缘层背离所述第一绝缘层的一侧，所述第二薄膜晶体管的源极和漏极均位于所述第三导电层，并且所述第一薄膜晶体管的源极和漏极与所述第三导电层电连接。

6.如权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在第三绝缘层背离所述衬底基板一侧的平坦化层，所述平坦化层具有通孔，所述通孔在所述衬底基板上的正投影与所述第一薄膜晶体管有源层在所述衬底基板上的正投影重叠；

所述显示电极包括有第一子显示电极及第二子显示电极，所述第一子显示电极覆盖所述通孔的内周壁，并且与所述第一薄膜晶体管的漏极电连接，所述第二子显示电极层叠且间隔的设置于所述第一子显示电极及所述平坦化层背离所述衬底基板的一侧。

7.如权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括有钝化层，所述钝化层位于所述第一子显示电极及所述第二子显示电极之间，并且位于所述平坦化层与所述第二子显示电极之间。

8.如权利要求7所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括支撑结构，所述支撑结构位于所述第二子显示电极背离所述钝化层的一侧，并且部分位于在所述通孔内。

9.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在半导体层与所述衬底基板之间的缓冲层和遮光层；

所述缓冲