CN118969729A 一种封装基板及其制作方法 （上海美维科技有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118969729A

(43)申请公布日2024.11.15

(21)申请号202411066124.X

(22)申请日2024.08.05

(71)申请人上海美维科技有限公司

地址201613上海市松江区联阳路685号

(72)发明人上官昌平颜国秋敖伟平黄剑

杜玲玲曹子鲲雷庆满

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通

合伙)31219

专利代理师余明伟

(51)Int.Cl.

H01L21/768(2006.01)

H01L23/538(2006.01)

H01L21/027(2006.01)

权利要求书1页说明书9页附图4页

(54)发明名称

一种封装基板及其制作方法

(57)摘要

本发明提供一种封装基板及其制作方法，包

括以下步骤：提供一基板，至少于基板的一功能

面形成抗蚀剂层；提供一曝光剂量调节机构，采

用曝光剂量调节机构分别对抗蚀剂层内部的第

一区和第二区进行第一预设曝光剂量和第二预

设曝光剂量的曝光，第一预设曝光剂量小于第二

预设曝光剂量，且至少一第一区位于第二区外

围；基于曝光后的第一区及第二区，于抗蚀剂层

中分别形成第一凹槽及第二凹槽，第一凹槽贯穿

抗蚀剂层，第二凹槽自抗蚀剂层远离基板的表面

开口且底部与基板表面间隔预设距离；形成填充

第一凹槽及第二凹槽的金属布线层，抗蚀剂层及

A金属布线层构成一布线结构。本发明的封装基板

9及其制作方法简化了制作流程，降低了生产成

2

7

9本。

6

9

8

1

1

N

C

CN118969729A权利要求书1/1页

1.一种封装基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基板，至少于所述基板的一功能面形成抗蚀剂层；

提供一曝光剂量调节机构，采用所述曝光剂量调节机构分别对所述抗蚀剂层的第一区

和第二区进行第一预设曝光剂量及第二预设曝光剂量的曝光，所述第一预设曝光剂量小于

所述第二预设曝光剂量，且至少一所述第一区位于所述第二区外围；

基于曝光后的所述第一区及所述第二区，于所述抗蚀剂层中分别形成第一凹槽及第二

凹槽，所述第一凹槽贯穿所述抗蚀剂层，所述第二凹槽自所述抗蚀剂层远离所述基板的表

面开口且底部与所述基板表面间隔预设距离；

形成填充所述第一凹槽及所述第二凹槽的金属布线层，所述抗蚀剂层及所述金属布线

层构成一布线结构。

2.根据权利要求1所述封装基板的制作方法，其特征在于：所述抗蚀剂层包括正性光刻

胶。

3.根据权利要求1所述封装基板的制作方法，其特征在于：所述曝光剂量调节机构包括

光栅光阀。

4.根据权利要求1所述的封装基板的制作方法，其特征在于：形成第一凹槽的方法包括

等离子体刻蚀；形成第二凹槽的方法包括等离子体刻蚀。

5.根据权利要求4所述的封装基板的制作方法，其特征在于：采用等离子体刻蚀形成所

述第一凹槽和所述第二凹槽时，还包括对等离子腔体内的电流场、温度场和气流场进行调

控的步骤。

6.根据权利要求1所述的封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一凹槽包括相连通

的第一部及第二部，所述第一部自所述抗蚀剂层的顶部开口且底部与所述第二部的顶部相

连通，所述第二部的底部显露出所述基板的功能面。

7.根据权利要求6所述的封装基板的制作方法，其特征在于：所述第一部的横向截面尺

寸大于所述第二部的横向截面尺寸。

8.根据权利要求1所述的封装基板的制作方法，其特征在于，形成所述金属布线层包括

以下步骤：形成覆盖所述抗蚀剂层表面、所述第一凹槽底部及侧壁