CN118919547A 一种光响应增强功能的量子点ccd图像传感器及制作方法 （华中科技大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118919547A

(43)申请公布日2024.11.08

(21)申请号202410927183.5

(22)申请日2024.07.11

(71)申请人华中科技大学

地址430000湖北省武汉市洪山区珞喻路

1037号

(72)发明人雷仁方张建兵牛奕潇

(74)专利代理机构武汉派富知识产权代理事务

所(普通合伙)42305

专利代理师赵丽

(51)Int.Cl.

H01L27/148(2006.01)

H01L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图2页

(54)发明名称

一种光响应增强功能的量子点CCD图像传感

器及制作方法

(57)摘要

本申请公开了一种具有光响应增强功能的

量子点CCD图像传感器，包括：依次层叠设置的电

荷转移电极层、复合栅介质层、电荷收集/转移

层、体硅层、量子点材料界面处理层、电子传输

层、量子点吸收层、空穴传输层、透明电极。该量

子点CCD图像传感器采取了全新技术途径实现了

光子吸收及转换功能，不仅能更好地满足近红外

光响应增强，通过改变该量子点CCD图像传感器

中量子点吸收层的量子点材料种类，还能实现更

宽范围的光谱响应。本申请还提供了该量子点

CCD图像传感器的制作方法，工艺简单，制作原材

A料来源广，制作成本低，适合大规模制作。

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CN118919547A权利要求书1/2页

1.一种具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，包括：依次层叠设

置的电荷转移电极层、复合栅介质层、电荷收集/转移层、体硅层、量子点材料界面处理层、

电子传输层、量子点吸收层、空穴传输层及透明电极，其中，所述电荷转移电极层包括分别

与所述复合栅介质层接触的第一掺杂多晶硅电极、绝缘层及第二掺杂多晶硅电极，所述绝

缘层将所述第一掺杂多晶硅电极、所述第二掺杂多晶硅电极相互隔开。

2.根据权利要求1所述具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，所

述第一掺杂多晶硅电极和所述第二掺杂多晶硅电极的厚度为100～300μm，所述绝缘层的材

料为SiO，其厚度为60～200nm。

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3.根据权利要求1所述具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，所

述复合栅介质层按远离所述电荷转移电极层的方向包括依次层叠的SiN层、SiO层，所述

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SiN层的厚度为40～100nm，所述SiO层的厚度为10～80nm。

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4.根据权利要求1所述具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，构

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建所述电荷收集/转移层的材料为N型硅，其结深为0.3～1μm，体浓度为10～5×10cm。

5.根据权利要求1所述具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，构

建所述体硅层的材料为P‑型硅，所述体硅层厚度为3～100μm；构建所述量子点界面处理层

的材料为P+型硅，其通过在体硅层的表面注入浅结的硼离子制成，结深为3～5nm。

6.根据权利要求1所述具有光响应增强功能的量子点CCD图像传感器，其特征在于，构

建所述电子传输层的材料为Z