CN118943120A 制作具有精细间距互连的双侧模塑系统级封装的半导体器件和方法 （星科金朋私人有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118943120A

(43)申请公布日2024.11.12

(21)申请号202410434261.8

(22)申请日2024.04.11

(30)优先权数据

18/3159642023.05.11US

(71)申请人星科金朋私人有限公司

地址新加坡新加坡市

(72)发明人申容武金晟国金信在许锡范

(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公

司72001

专利代理师张健吕传奇

(51)Int.Cl.

H01L23/538(2006.01)

H01L23/31(2006.01)

H01L21/60(2006.01)

H01L21/56(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图15页

(54)发明名称

制作具有精细间距互连的双侧模塑系统级

封装的半导体器件和方法

(57)摘要

本发明涉及制作具有精细间距互连的双侧

模塑系统级封装的半导体器件和方法。一种半导

体器件具有衬底。将电气部件设置在所述衬底的

第一表面上方。将焊锡膏设置在所述衬底的第一

表面上方。将导电柱设置在所述焊锡膏上。将密

封剂沉积在所述衬底的第一表面、所述电气部件

和所述导电柱上方。在所述导电柱上方形成焊料

凸块。

A

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N

C

CN118943120A权利要求书1/2页

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

电气部件，被设置在所述衬底的第一表面上方；

导电柱，被设置在所述衬底的第一表面上方；

焊料、焊锡膏或导电膏，被设置在所述导电柱与衬底之间；

密封剂，被沉积在所述衬底、电气部件和导电柱上方；以及

焊料凸块，被形成在所述导电柱上方所述密封剂外。

2.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：石墨烯涂层，被形成在所述导电柱上

方。

3.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：导电层，被形成在所述导电柱上方。

4.如权利要求1所述的半导体器件，进一步包括：第二密封剂，被沉积在所述衬底的第

二表面上方。

5.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：屏蔽层，被形成在所述第二密封剂上

方。

6.如权利要求4所述的半导体器件，进一步包括：第二电气部件，被设置在所述衬底的

第二表面上方所述第二密封剂内。

7.一种半导体器件，包括：

衬底；

导电柱，被设置在所述衬底的第一表面上方；

焊料、焊锡膏或导电膏，被设置在所述导电柱与衬底之间；以及

焊料凸块，被形成在所述导电柱上方。

8.如权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：石墨烯涂层，被形成在所述导电柱上

方。

9.如权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：

第一密封剂，被沉积在所述衬底的第一表面上方；以及

第二密封剂，被沉积在所述衬底的第二表面上方。

10.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供衬底；

将电气部件设置在所述衬底的第一表面上方；

将焊锡膏设置在所述衬底的第一表面上方；

将导电柱设置在所述焊锡膏上；

将密封剂沉积在所述衬底的第一表面、所述电气部件和所述导电柱上方；以及

在所述导电柱上方形成焊料凸块。

11.如权利要求10所述的方法，进一步包括：在所述导电柱上方形成石墨烯涂层。

12.如权利要求10所述的方法，进一步包括：在所述导电柱上方形成导电层。

13.如权利要求10所述的