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量子计算研发工程师季度实验计划

作为深耕量子计算硬件研发五年的工程师，我太清楚这个领域的特性——每一点突破都像在玻璃上雕花，既要精准控制力道，又得承受随时可能的断裂风险。上季度末我们刚完成10比特芯片的初测，相干时间达到了50微秒，但稳定性测试时发现约30%的比特在连续操作后误差率陡增。这让我意识到，单纯提升单比特性能还不够，必须系统性解决多比特协同中的噪声累积问题。基于此，我梳理了本季度实验计划，目标很明确：在现有10比特芯片平台上，通过工艺优化、控制序列改进和纠错算法适配，将多比特门操作保真度从78%提升至85%以上，为下阶段20比特芯片研发打牢基础。

一、核心目标与实验框架

本季度实验围绕“提升多比特协同操作稳定性”这一主线展开，拆解为三个递进模块：首先优化量子比特制备工艺以降低本征噪声；其次验证多比特纠缠态的长时间保持能力；最后将自研的量子纠错算法适配到实际芯片，形成“工艺-控制-纠错”的闭环验证。这三个模块就像三条并行的轨道，工艺优化是地基，纠缠验证是桥梁，纠错适配是顶层设计，任何一环的进展都能为其他环节提供数据支撑。

二、具体实验安排

（一）量子比特制备工艺优化（第1-6周）

这是整个计划的“根”。上季度测试中发现，部分比特相干时间衰减过快，初步推测与约瑟夫森结的铝膜氧化不均匀有关。我翻查了近三个月的流片记录，发现当氧化室压强波动超过0.1mTorr时，对应芯片的比特性能离散度会增加20%。所以本阶段重点做两件事：

材料生长工艺微调

计划将铝膜沉积速率从0.3?/s降至0.2?/s，虽然会延长单片制备时间（约增加40分钟），但能让原子层更致密。同时引入原位等离子清洗步骤——在蒸镀铝膜前，用氩离子束对硅基底轰击30秒，去除表面纳米级的有机污染物。上周我和材料组老张试做了两片小尺寸样品，AFM（原子力显微镜）扫描显示表面粗糙度从0.8nm降到了0.5nm，这是个好兆头。

耦合结构参数重设计

现用的互感耦合结构在多比特场景下会引入串扰，尤其当相邻比特同时操作时，频谱会出现约10MHz的偏移。我重新仿真了三种耦合器形状：原有的直线型、新设计的蛇形和环形。仿真结果显示，蛇形耦合器能将串扰强度从-35dB降至-42dB（数值越小串扰越弱）。本周三已下单制作三款测试芯片，预计第3周能拿到样片。

阶段目标：第6周末完成5片优化芯片的低温测试，筛选出至少3片单比特相干时间≥60微秒、频率离散度≤50MHz的样品。

（二）多比特纠缠验证（第4-10周）

等工艺优化的芯片进入测试阶段，这边就要同步启动纠缠实验了。纠缠态的质量直接决定了量子计算的“算力”，之前用旧芯片测双比特纠缠保真度只有82%，三比特降到75%，这次要冲击双比特90%、三比特80%的目标。

控制脉冲序列校准

现用的高斯方波脉冲在多比特操作时会因放大器非线性产生畸变，计划改用DRAG（微分拉比）脉冲，理论上能抑制约30%的激发态泄漏。上周四我在旧芯片上做了预实验，单比特的泄漏概率从0.8%降到了0.3%，但多比特同步时还需要调整脉冲间的时序延迟。我和控制组的小林商量好，每天下午3点到5点专门做脉冲校准，用随机基准测试（RB）实时监测效果。

纠缠态制备与表征

先从双比特开始，制备贝尔态后用量子态层析（QST）测保真度，预计需要300组测量数据。如果双比特稳定了，再扩展到三比特GHZ态。这里有个难点——三比特同时操作时，稀释制冷机的微波线损会增加，可能需要在第6周提前给样品杆加装低噪声放大器（LNA）。我已经联系厂家加急调货，确保第5周能到货安装。

阶段目标：第10周末输出双比特纠缠保真度≥90%的实验报告，三比特达到80%且能稳定保持10个操作周期（约2微秒）。

（三）纠错算法适配验证（第8-12周）

量子纠错是实现容错计算的关键，但算法和硬件的“匹配度”比算法本身更难。我们自研的基于表面码的纠错方案在仿真中能将逻辑比特错误率降低两个数量级，但实际芯片的噪声模型和仿真环境有差异（比如实际存在1/f噪声，仿真时用的是白噪声）。

噪声特征提取

前10周的实验数据正好能用来刻画真实噪声。计划用最大似然估计法，从单比特的退相干数据、多比特的串扰数据中拟合出实际噪声的协方差矩阵。这部分需要和理论组的王博合作，他负责算法，我负责提供原始测量数据。上周开会时他说需要至少2000组单比特弛豫数据和500组多比特交叉关联数据，我已经安排测试员每天加测两组，确保第9周前数据量达标。

纠错电路映射

表面码需要将物理比特排列成网格结构，而我们的芯片是线性排列（10比特排成一列）。这意味着需要通过SWAP门实现“虚拟网格”，但SWAP门本身有1%的误差率，可能抵消纠错效果。我打算先在4个物理比特上模拟2x2的表面码，用中间两个比特做数据位，两边做校验位。本周二和王博讨论时，他建议先不做全纠错，而是验