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三极管二极管检验报告

一、报告基本信息

项目

内容

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报告编号

JYBG-年份-月份-序号（示例）

检验日期

YYYY年MM月DD日

受检单位/部门

（根据实际情况填写）

检验地点

（根据实际情况填写，如：实验室A区）

检验依据

相关元器件规格书、行业通用标准

检验人员

（根据实际情况填写）

复核人员

（根据实际情况填写）

二、检验对象信息

本次检验对象为一批待入库或抽样的三极管与二极管元器件。主要型号及数量如下（可根据实际情况增删或详细列出）：

*二极管：型号包括1N4XXX系列、IN5XXX系列等，共计XX批次/XX只。

*三极管：型号包括2N3XXX系列、90XX系列（NPN型及PNP型）等，共计XX批次/XX只。

三、检验环境与设备

3.1检验环境条件

*环境温度：XX℃-XX℃（常温范围）

*相对湿度：XX%-XX%

*检验区域：清洁、无强电磁干扰、无腐蚀性气体

3.2主要检验设备

*数字万用表（型号：如VC890D或同等精度级别）

*晶体管图示仪（型号：如XJ4810或同等功能级别）-（若进行详细参数测试）

*直流稳压电源（型号：如XXXXX）-（若进行详细参数测试）

*放大镜或体视显微镜（倍数：XX倍）

*防静电工作台、防静电手环

四、检验项目与方法

4.1外观检验

检验方法：在正常光照条件下，必要时使用放大镜辅助，对元器件进行目测检查。

检验内容及判定标准：

1.封装完整性：外壳应无裂纹、破损、变形、凹陷。金属封装应无锈蚀、氧化斑；塑料封装应无气泡、缩痕、溢料、变色。

2.引脚质量：引脚应平直、无明显弯曲、变形、折断。引脚镀层应均匀、光亮，无起皮、锈蚀、氧化发黑、焊锡不良（如假焊、虚焊痕迹，针对已焊接过的元器件）。引脚间距应符合标准，无明显歪斜。

3.标识清晰性：元器件表面的型号、规格、商标、极性标识（如二极管的色环/色点、三极管的引脚排列图示）等应清晰可辨，无模糊、缺失、错印、漏印。

4.清洁度：元器件表面及引脚应无明显油污、灰尘、焊剂残留或其他异物。

5.无机械损伤：无明显的外力撞击痕迹，无引脚根部断裂或松动现象。

4.2电气参数检验

4.2.1二极管检验

1.极性判别与单向导电性测试（使用万用表）

*方法：将万用表调至“二极管”档位（或合适的低阻欧姆档）。对于具有明显极性标识的二极管，直接测量其正向和反向压降。对于标识不清或需要确认的，通过测量正反向电阻（或压降）差异来判断极性和单向导电性。

*判定：正向应呈现低阻（或显示正向压降值，硅管约为0.5-0.7V，锗管约为0.1-0.3V），反向应呈现高阻（或溢出“OL”）。若正反向均导通或均不导通，则判定为不合格。

2.正向压降（VF）测试（可选，根据规格书要求）

*方法：使用晶体管图示仪或直流稳压电源配合万用表，在规定的正向电流IF下，测量二极管两端的电压降。

*判定：实测VF值应在规格书规定的最小值与最大值之间。

3.反向漏电流（IR）测试（可选，根据规格书要求）

*方法：使用晶体管图示仪或直流稳压电源配合微安表/万用表，在规定的反向电压VR下（通常为额定反向工作电压VRRM的某个比例，如80%或直接使用VRRM，注意安全操作），测量流过二极管的反向电流。

*判定：实测IR值应小于规格书规定的最大值。

4.反向击穿电压（VBR）测试（谨慎操作，根据规格书要求）

*方法：在确保安全的前提下，使用晶体管图示仪或可调直流高压电源，缓慢增加反向电压，观察反向电流开始急剧增大时的电压值。此测试可能对二极管造成永久性损坏，通常仅对关键或可疑器件进行抽样测试。

*判定：实测VBR值应不低于规格书规定的最小值。

4.2.2三极管检验

1.类型判别与引脚识别（使用万用表）

*方法：将万用表调至“二极管”档位或“hFE”档位（若有）。对于双极型三极管（BJT），通过测量各引脚间的正反向压降（或电阻），结合三极管的结构原理，判别其是NPN型还是PNP型，并确定基极（B）、集电极（C）、发射极（E）。

*判定：能明确区分管型及各引脚，且PN结正向导通、反向截止特性符合三极管规律。

2.直流放大系数（hFE/β）测试（使用万用表hFE档或图示仪）

*方法：若使用万用表hFE档，将三极管对应引脚插入万用表的三极管测试插座（注意NPN/PNP类型和引脚对应关系），选择合适的量程（如×10、×100），读取显示的hFE值。若使用图示仪，可在规定的集电极电流IC和集电极-发射极电压VCE