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碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第4部分：高温反偏.docx

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）试验方法 第4部分：高温反偏.docx

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    《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiCMOSFET）试验方法第4部分：高温反偏》标准立项与发展研究报告

    EnglishTitle:ResearchReportontheStandardizationDevelopmentof“TestMethodsforSiliconCarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistors(SiCMOSFETs)–Part4:HighTemperatureReverseBias”

    摘要

    本报告旨在系统阐述《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（S

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