CN115425067A 一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115425067A(43)申请公布日2022.12.02

(21)申请号202211168953.X

(22)申请日2022.09.25

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新西区西源

大道2006号

(72)发明人张金平黄云翔李小锋张波

(74)专利代理机构成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232

专利代理师孙一峰

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

H01L29/739(2006.01)

H01L21/331(2006.01)

权利要求书2页说明书6页附图23页

(54)发明名称

一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法

(57)摘要

本发明属于功率半导体器件技术领域，涉及一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管及其制作方法。本发明通过在分裂多晶硅栅(11)与浮空P区(12)之间串联一个二极管，二极管阴极与分裂多晶硅栅(11)连接，二极管阳极与浮空P区(12)

连接，分裂栅(11)与发射极金属(1)之间串联一

个电容，浮空P区(12)通过有源区钳位在IGBT关

断时获得了一个较高的电位，该电位使得二极管

开启，从而对电容进行充电，使得电容获得一个

稳定的电位。而分裂栅(11)与电容相连，使故分

裂栅也具有一个稳定的电位，该电位吸引分裂栅

CN

CN115425067A

了沟道的注入效率，进一步提升了漂移区电导调10

制效应，降低了器件的正向导通压降。

CN115425067A权利要求书1/2页

2

1.一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管，包括从下至上依次层叠设置的集电极金属(10)、P型集电区(9)、N型电场阻止层(8)、N-漂移区(7)和有源区；所述有源区包括位于N-漂移区(7)上表面两端的P型基区(4)和P区(20)、位于P型基区(4)和P区(20)之间的沟槽栅极结构、浮空P区(12)、沟槽发射极结构，其中浮空P区(12)位于沟槽栅极结构和沟槽发射极结构之间，沟槽栅极结构与P型基区(4)接触，沟槽发射极结构与P区(20)接触，同时沟槽栅极结构、浮空P区(12)和沟槽发射极结构的下表面结深并大于P型基区(4)和P区(20)的下表面结深；

所述P型基区(4)的上表面并列设置有P+发射区(2)和N+发射区(3),其中N+发射区(3)位于靠近沟槽栅极结构一侧，在P+发射区(2)和N+发射区(3)上表面具有第一金属(1-1);

所述沟槽栅极结构包括沟槽栅极(5)、分裂栅极(11)和第一栅氧化层(6-1),其中分裂栅极(11)位于沟槽栅极(5)的正下方并由第一栅氧化层(6-1)隔离，同时沟槽栅极(5)、分裂栅极(11)与P型基区(4)、浮空P区(12)、N-漂移区(7)之间也通过第一栅氧化层(6-1)隔离；

所述浮空P区(12)的上层与沟槽发射极结构相邻的部位具有P+欧姆接触区(15);所述P+欧姆接触区(15)与沟槽发射极结构接触，P+欧姆接触区(15)的上表面具有第二金属(17),与第二金属(17)相邻的浮空P区(12)上表面具有场氧化层(13),场氧化层(13)与第二金属(17)接触但是与沟槽栅极结构之间具有间距，在场氧化层(13)的上表面具有多晶硅二极管；所述多晶硅二极管包括多晶硅二极管P+区(18)和多晶硅二极管N+区(19),所述多晶硅二极管P+区(18)与第二金属(17)接触；

所述沟槽发射极结构包括沟槽发射极(14)和第二栅氧化层(6-2),其中第二栅氧化层(6-2)将沟槽发射极(14)与浮空P区(12)、P+欧姆接触区(15)、P区(20)、N-漂移区(7)隔离；所述沟槽发射极(14)上表面具有第三金属(1-2);

所述P区(20)的上表面具有N+接触区(16),N+接触区(16)与第二栅氧化层(6-2)接触；所述第三金属也覆盖N+接触区(16)的上表面；

所述分裂栅极(11)与多晶硅二极管N+区(19)电气连接，并在分裂栅极(11)与第一金属(1-1)之间串接电容C,从而使浮空P区(12)的电位为电容C充电，实现对分裂栅的自偏置。

2.根据权利要求1所述的一种自钳位分裂绝缘栅双极型晶体管，其特征在于：所述P区(20)与N+接触区(16)还具有N-BL埋层(21),从而形成钳位PMOS结构，在关断过