CN115425101A 一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115425101A(43)申请公布日2022.12.02

(21)申请号202211136469.9

(22)申请日2022.09.19

(71)申请人南京邮电大学

地址210003江苏省南京市鼓楼区新模范

马路66号

(72)发明人刘丹璐徐跃

(74)专利代理机构南京纵横知识产权代理有限公司32224

专利代理师董建林

(51)Int.CI.

HO1L31/0352(2006.01)

HO1L31/107(2006.01)

HO1L31/11(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图6页

(54)发明名称

一种双结单光子雪崩二极管、探测器及制作方法

(57)摘要

CN115425101A本发明公开了一种双结单光子雪崩二极管，该二极管的特点是在器件中形成双雪崩区，利用重掺杂n型埋层和高压p阱形成的PN结作为深雪崩区，高压p阱和n阱形成浅雪崩区。该双结二极管结构能够提高对近红外光子的探测效率，提高器件整体的光子探测效率，实现单光子的宽光谱响应，为实现低成本、高探测效率的激光测距、三

CN115425101A

CN115425101A权利要求书1/2页

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1.一种双结单光子雪崩二极管，其特征在于，包括深雪崩区和浅雪崩区，所述深雪崩区包括p型衬底(10),所述p型衬底(10)内设有p型埋层(8),所述p型埋层(8)上方设有重掺杂n型埋层(4),所述重掺杂n型埋层(4)上方设有高压p阱(7)和轻掺杂p阱(6),所述轻掺杂p阱(6)表面注入P+区(5),作为二极管的阳极，所述高压p阱(7)外围设有高压n阱(3),所述高压n阱(3)的表面注入重掺杂N+区(1),作为二极管的阴极；所述N+区(1)和P+区(5)之间设有浅沟槽隔离(11),所述高压p阱(7)和重掺杂n型埋层(4)的交界处形成深雪崩区；

所述浅雪崩区包括在所述轻掺杂p阱(6)中设有n阱(2),所述n阱(2)的表面设有N+区(1),作为二极管的阴极，所述高压n阱(3)表面注入N+区(1),与n阱(2)的表面设有N+区(1)形成的阴极接同一电位，所述轻掺杂p阱(6)表面注入P+区(5),作为二极管的阳极，在n阱(2)和高压p阱(7)的交界处形成浅雪崩区。

2.根据权利要求1所述的双结单光子雪崩二极管，其特征在于，所述p型衬底(10)的上方还设有p型外延层(9)。

3.根据权利要求1所述的双结单光子雪崩二极管，其特征在于，所述高压p阱(7)和表面的P+区(5)作为p型衬底(10)的衬底电极。

4.根据权利要求1所述的双结单光子雪崩二极管，其特征在于，所述p型衬底(10)采用硅、锗硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅和铟镓砷中的任意一种半导体材料。

5.根据权利要求1所述的双结单光子雪崩二极管，其特征在于，所述二极管形状为八边形、圆形和切角正方形中任意一种结构。

6.一种双结单光子雪崩二极管的探测器，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的二极管。

7.根据权利要求6所述的双结单光子雪崩二极管的探测器，其特征在于，所述探测器包括：深雪崩区和浅雪崩区，所述深雪崩区包括p型衬底(10),所述p型衬底(10)内设有p型埋层(8),所述p型埋层(8)上方设有重掺杂n型埋层(4),所述重掺杂n型埋层(4)上方设有高压p阱(7)和轻掺杂p阱(6),所述轻掺杂p阱(6)表面注入P+区(5),作为二极管的阳极，所述高压p阱(7)外围设有高压n阱(3),所述高压n阱(3)的表面注入重掺杂N+区(1),作为二极管的阴极；所述N+区(1)和P+区(5)之间设有浅沟槽隔离(11),所述高压p阱(7)和重掺杂n型埋层

(4)的交界处形成深雪崩区；

所述浅雪崩区包括在所述轻掺杂p阱(6)中设有n阱(2),所述n阱(2)的表面设有N+区(1),作为二极管的阴极，所述高压n阱(3)表面注入N+区(1),与n阱(2)的表面设有N+区(1)形成的阴极接同一电位，所述轻掺杂p阱(6)表面注入P+区(5),作为二极管的阳极，在n阱(2)和高压p阱(7)的交界处形成浅雪崩区。

8.一种双结单光子雪崩二极管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在p型衬底(10)中注入形成一个p型埋层(8);

在