CN115394741A 一种晶圆封装及其制作方法 （南方科技大学）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115394741A(43)申请公布日2022.11.25

(21)申请号202210839226.5

(22)申请日2022.07.18

(71)申请人南方科技大学

地址518055广东省深圳市南山区桃源街

道学苑大道1088号

(72)发明人叶怀宇李世朕刘旭张国旗

(74)专利代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268

专利代理师孙果

(51)Int.CI.

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23/492(2006.01)

21/50(2006.01)

21/60(2006.01)

23/31(2006.01)

21/56(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图5页

(54)发明名称

一种晶圆封装及其制作方法

(57)摘要

(57)摘要100-

本发明公开了一种晶圆封装及其制作方法，500

晶圆封装包括：第一晶圆、第二晶圆以及设置在700

所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的互连层；其200

CN115394741A中，所述互连层包括碳纳米管束框架以及填充于所述碳纳米管束框架内的微纳米金属。本发明通过采用碳纳米管束框架与微纳米金属构成的互连层来连接第一晶圆与第二晶圆，能够保证两晶圆之间的连接强度，且能够满足晶圆之间互连区域的导电导热性要求，从而能够满足大功率器件

CN115394741A

CN115394741A权利要求书1/2页

2

1.一种晶圆封装，其特征在于，包括：第一晶圆、第二晶圆以及设置在所述第一晶圆与所述第二晶圆之间的互连层；其中，所述互连层包括碳纳米管束框架以及填充于所述碳纳米管束框架内的微纳米金属。

2.根据权利要求1所述的晶圆封装，其特征在于，所述碳纳米管束框架包括：第一碳纳米管束与第二碳纳米管束；

所述第一碳纳米管束间隔设置在所述第一晶圆上；

所述第二碳纳米管束间隔设置在所述第二晶圆上；

所述第一碳纳米管束插入所述第二碳纳米管束之间的间隙中以形成所述碳纳米管束框架。

3.根据权利要求2所述的晶圆封装，其特征在于，还包括：第一金属镀层；所述第一金属镀层设置在所述第一晶圆的上表面；

第一催化层；所述第一催化层设置在所述第一金属镀层的表面。

4.根据权利要求2所述的晶圆封装，其特征在于，还包括：第二金属镀层；所述第二金属镀层设置在所述第二晶圆的上表面；

第二催化层；所述第二催化层设置在所述第二金属镀层的表面。

5.根据权利要求2所述的晶圆封装，其特征在于，所述微纳米金属为微纳米金、微纳米银或微纳米铜中的一种或多种；所述微纳米金属的形状为颗粒状、块体状或片状。

6.根据权利要求5所述的晶圆封装，其特征在于，所述微纳米金属为颗粒状，所述微纳米金属的尺寸为5-5000纳米。

7.一种应用于权利要求1-6任一项所述的晶圆封装的晶圆封装制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆与第二晶圆；

在所述第一晶圆与所述第二晶圆之间制备碳纳米管束框架；

基于毛细作用将微纳米金属烧结膏体填充至所述碳纳米管束框架内；

将多余的微纳米金属烧结膏体去除后进行加热处理以使微纳米金属连接在所述第一晶圆与所述第二晶圆之间。

8.根据权利要求7所述的晶圆封装制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆与所述第二晶圆之间制备碳纳米管束框架的步骤包括：

采用含碳气体在所述第一晶圆的表面自下而上定向形成若干间隔分布的第一碳纳米管束，并采用含碳气体在所述第二晶圆的表面自下而上定向形成若干间隔分布的第二碳纳米管束；

将所述第一晶圆与所述第二晶圆连接在一起，以使所述第一碳纳米管束插入所述第二碳纳米管束的间隙中，并形成碳纳米管束框架。

9.根据权利要求7所述的晶圆封装制作方法，其特征在于，所述在所述第一晶圆与所述第二晶圆之间制备碳纳米管束框架的步骤之前还包括：

分别在所述第一晶圆底面以及所述第二晶圆的顶面进行金属化镀层处理，以在所述第一晶圆的底面形成第一金属镀层，并在所述第二晶圆的顶面形成第二金属镀层；

采用催化剂并通过沉积的方式在所述第一金属镀层上形成第一催化层；采用催化剂并通过沉积的方式在所述第二金属镀层上形成第二催化层。

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