CN115425517A 提高波长分布均匀性的激光器制作方法 （武汉敏芯半导体股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115425517A(43)申请公布日2022.12.02

(21)申请号202210994217.3

(22)申请日2022.08.18

(71)申请人武汉敏芯半导体股份有限公司

地址430014湖北省武汉市东湖新技术开

发区滨湖路8号

(72)发明人王健潘钺易美军

(74)专利代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102

专利代理师许美红

(51)Int.CI.

HO1S5/12(2021.01)

权利要求书1页说明书4页附图7页

(54)发明名称

提高波长分布均匀性的激光器制作方法

(57)摘要

CN115425517A本发明公开了一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法，该方法包括：在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计；然后利用该晶圆制作激光器。进一步，根据该波长通道的中心波长和波导等效折射率确定光栅周期，同时该波导等效折射率对应了确定的激光器脊宽。本发明通过在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计，然后利用该晶圆去制作激光器，可提高每个波长通道分BIN

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CN115425517A权利要求书1/1页

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1.一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，该方法包括：在晶圆形成之前，对于同一个波长通道，采用两种或两种以上的光栅周期设计；然后利用该晶圆制作激光器。

2.根据权利要求1所述的提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，根据该波长通道的中心波长和波导等效折射率确定光栅周期，同时该波导等效折射率对应着激光器的脊宽。

3.根据权利要求1或2所述的提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，脊宽范围为1.5～2微米。

4.根据权利要求1或2所述的提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，光栅采用非对称λ/4相移光栅。

5.根据权利要求4所述的提高波长分布均匀性的激光器制作方法，其特征在于，采用EBL或纳米压印制作光栅。

CN115425517A说明书1/4页

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提高波长分布均匀性的激光器制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体激光器芯片制备技术领域，具体涉及一种提高波长分布均匀性的激光器制作方法。

背景技术

[0002]数据中心流量正在大幅度增加以响应云计算的快速发展，以太网速率也在迅速上升以应对这种增长。100G以太网于2010年标准化，其中100GBASE-LR4针对10km范围应用进行了标准化。100GBASE-LR4采用具有4×25.8Gbit/s速率的多通道接口，支持波长1295.56nm,1300.05nm,1304.58nm,1309.14nm共4个波长通道(L7\L8\L9\LA)。其中一个波长通道覆盖波长范围有1.8nm,又分为4个小波长通道(BIN),相邻BIN之间的波长间隔为

0.45nm,如图6所示，以例如L7BIN1、L8BIN1、L9BIN1和LABIN1为一组，工作温度为55℃。

[0003]由于直接调制激光器(DMLs)具有低功耗和低成本的优点，DMLs是100GBASE-LR4的有潜力的光源。随着100GBASE-LR4封装形式逐渐小尺寸化，其所有组件都必须小型化。存在两种集成类型——混合集成和单片集成来制作小型化的光发射机，其中单片集成方案更适合来做小型化的光发射机，例如激光器阵列与MUX集成的方案。虽然单片集成的激光器阵列方案具有尺寸小的优点，但激光器的波长没法精确控制，如NTT报道的激光器阵列的波长分别属于L7BIN3、L8BIN2、L9BIN1和LABIN3(ShigeruKanazawa,etal.,30-kmerror-freetransmissionofdirectlymodulat