摘要
单晶硅因其优异的半导体特性和稳定的化学性能,在集成电路、太阳能电池
和微机电系统(MEMS)等领域具有广泛应用。然而,传统的机械加工方法容易在
硅片边缘引入微裂纹和位错缺陷,化学刻蚀法则存在效率低、难以加工高深宽比
结构的局限性,而紫外皮秒激光由于其加工精度高、能量吸收率高等特点在材料
加工方面具有很广阔的应用前景。本文采用355nm紫外皮秒激光加工单晶硅材
料,开展了烧蚀机理和参数优化研究,通过理论建模、实验验证和多目标优化相
结合的方法,深入分析了激光与材料的相互作用机制,为单晶
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