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- 2026-02-04 发布于重庆
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(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号CN114477960B(45)授权公告日2023.04.14
(21)申请号202011150189.4
(22)申请日2020.10.23
(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN114477960A
(43)申请公布日2022.05.13
(73)专利权人OPPO广东移动通信有限公司
地址523860广东省东莞市长安镇乌沙海
滨路18号
(72)发明人张文宇
(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280
专利代理师唐双
(51)Int.CI.
CO4B35/00(2006.01)
CO4B35/10(2006.01)
C04B35/48(2006.01)
CO4B35/622(2006.01)
H05K5/00(2006.01)
审查员王冰雪
权利要求书2页说明书9页附图5页
(54)发明名称
壳体及其制作方法、电子设备
(57)摘要
CN114477960B本申请公开了一种壳体及其制作方法、电子设备,其中,壳体的材质为陶瓷,并包括主体部及与所述主体部连接的弯曲部;其中,所述壳体的抗弯强度不小于1000
CN114477960B
CN114477960B权利要求书1/2页
2
1.一种壳体的制作方法,其特征在于,包括:
提供待处理陶瓷;
对所述待处理陶瓷进行烧结处理,以得到预烧陶瓷,其中,所述预烧陶瓷的孔隙率为1%-10%,平均晶粒尺寸小于600nm;
利用热等静压机并通过控制所述热等静压机内的热等静压炉的热弯温度和热弯气压对所述预烧陶瓷进行热弯处理,以得到所述壳体,其中,所述壳体的抗弯强度为不小于1000MPa;其中所述热弯处理的温度的范围为1350-1500℃,所述热弯气压的范围为50-200MPa。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述对所述预烧陶瓷进行热弯处理,以得到所述壳体,包括:
将所述预烧陶瓷放于热弯模具内,并置于真空环境中,其中,所述预烧陶瓷与所述热弯模具共同定义一真空的封闭空间;
对所述预烧陶瓷进行加热处理,并在所述预烧陶瓷的背离所述封闭空间的一侧充入气体以向所述预烧陶瓷的背离所述封闭空间的一侧施加压力,以使得所述预烧陶瓷朝向所述封闭空间一侧弯曲,得到经所述热弯处理的所述壳体。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述将所述预烧陶瓷放于热弯模具内,并置于真空环境中,包括:
将所述预烧陶瓷与所述热弯模具放置于所述热等静压机的所述热等静压炉内;
开启所述热等静压机的真空系统对所述热等静压炉进行抽真空处理,以使得所述热等静压炉内的真空度达到10??Pa。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述对所述预烧陶瓷进行加热处理,并在所述预烧陶瓷的背离所述封闭空间的一侧充入气体以向所述预烧陶瓷的背离所述封闭空间的一侧施加压力,以使得所述预烧陶瓷朝向所述封闭空间一侧弯曲,得到经所述热弯处理的所述壳体,包括:
关闭所述真空系统,利用所述热等静压机的加热系统对所述预烧陶瓷进行第一加热处理,以加热至第一预设温度,并利用所述热等静压机的充气系统向所述热等静压炉内充气以对所述预烧陶瓷进行第一加压处理,使得所述预烧陶瓷的背离所述封闭空间一侧的气压升高至第一预设气压;
在达到所述第一预设温度及所述第一预设气压后,所述加热系统对所述预烧陶瓷进行第二加热处理,以自所述第一预设温度加热至第二预设温度,并利用所述充气系统向所述热等静压炉内充气以对所述预烧陶瓷进行第二加压处理,使得所述气压升高至第二预设气压,并保持第一预设时间,以使得所述预烧陶瓷发生热弯;
维持所述第二预设温度,利用所述充气系统向所述热等静压炉内充气以对所述预烧陶瓷进行第三加压处理,将所述气压升高至第三预设气压,并保持第二预设时间;
在所述第三加压处理后,关闭所述加热系统并启动所述热等静压机的冷却系统,对所述预烧陶瓷进行冷却处理,以得到所述壳体。
5.根据权利要求4所述的制作方法,其特征在于,所述第一预设温度为1300℃,所述第一预设气压为不超过0.1MPa,所述第一加热处理的升温速率不超过50℃/min,所述第一加压处理的升压速率不超过0.01MPa/min;
CN114477960B权
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