CN114532609A 一种玻璃基雾化芯的结构及其制作方法 （厦门云天半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114532609A(43)申请公布日2022.05.27

(21)申请号202111668132.8

(22)申请日2021.12.30

(71)申请人厦门云天半导体科技有限公司

地址361000福建省厦门市海沧区中沧工

业园坪埕中路28号302单元

(72)发明人伍恒姜峰于大全杨婷婷

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

专利代理师张松亭陈淑娴

(51)Int.CI.

A24F

A24F

C03C

C03C

C03C

40/46(2020.01)

40/40(2020.01)

15/00(2006.01)

17/06(2006.01)

17/09(2006.01)

C03CC03C

C03CC03C

B23K

17/22(2006.01)

17/36(2006.01)

17/40(2006.01)

17/34(2006.01)26/382(2014.01)

权利要求书1页说明书3页附图2页

(54)发明名称

一种玻璃基雾化芯的结构及其制作方法

(57)摘要

CN114532609A本发明公开了一种玻璃基雾化芯的结构，包括玻璃基材，玻璃基材设有贯通第一表面和第二表面的微孔通道，微孔通道包括相连的第一孔径区段和第二孔径区段，第二孔径区段的孔径小于第一孔径区段，且第二孔径区段的出口位于第二表面上；所述第二孔径区段的侧壁和所述第二表面附着有电阻层。本发明还公开了其制作方法。本发明的微孔通道中的孔径较大的区段可以用

CN114532609A

CN114532609A权利要求书1/1页

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1.一种玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：包括玻璃基材，所述玻璃基材具有相对的第一表面和第二表面；所述玻璃基材设有贯通第一表面和第二表面的微孔通道，所述微孔通道包括相连的第一孔径区段和第二孔径区段，第二孔径区段的孔径小于第一孔径区段，且第二孔径区段的出口位于第二表面上；所述第二孔径区段的侧壁和所述第二表面附着有电阻层。

2.根据权利要求1所述的玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：所述第一表面至第二表面的距离为200μm～5mm,所述第二孔径区段的深度为小于或等于第一表面至第二表面距离的50%。

3.根据权利要求1所述的玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：所述第二孔径区段的孔径为2μm～50μm。

4.根据权利要求1所述的玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：所述电阻层的材料包括Ti、Au、A1、Pt、Ta、氮化钛、氮化铝、氮化钽中的一种或叠层组合，厚度为10nm～5μm。

5.根据权利要求1所述的玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：所述玻璃基板设有一个或多个间隔分布的第一孔径区段，各第一孔径区段分别连接一个或多个间隔分布的第二孔径区段。

6.根据权利要求5所述的玻璃基雾化芯的结构，其特征在于：所述第一孔径区段和第二孔径区段一一对应相连形成阶梯通孔单元，所述玻璃基材设有若干个阶梯通孔单元。

7.一种权利要求1～6任一项所述的玻璃基雾化芯的结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)采用激光处理和刻蚀液腐蚀工艺于玻璃基材一表面上制作具有第一孔径、第二孔径其中之一的盲孔，用于形成第一孔径区段、第二孔径区段其中之一；

2)采用激光处理和刻蚀液腐蚀工艺于盲孔的背面制作具有第一孔径、第二孔径其中另一的通孔，形成微孔通道；

3)沉积电阻层于玻璃基材的第二孔径区段一侧表面以及第二孔径区段侧壁，形成玻璃基雾化芯的主体结构。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述激光处理，是采用红外皮秒激光，能量为1～1000μj进行照射打孔。

9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：所述刻蚀液腐蚀，是采用浓度为1%~49%HF刻蚀液，或HF:NH?F为1:1～1:10的BOE(缓冲氧化物刻蚀液)溶液，或5%～50%NaOH/KOH溶液。

10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于：步骤2)中，在刻蚀液腐蚀之前，还包括于步骤1)的已刻蚀表面贴附保护膜的步骤；在蚀刻液腐蚀之后，去除所述保护膜。

CN114532609A说明书1/3页

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一种玻璃基雾化芯的