CN114578953A 显示模组及其制作方法、显示装置 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114578953A(43)申请公布日2022.06.03

(21)申请号202011299962.3

(22)申请日2020.11.18

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

(72)发明人陈右儒

(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274

专利代理师申健

(51)Int.CI.

GO6F3/01(2006.01)

GO6F3/041(2006.01)

HO1L27/32(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图6页

(54)发明名称

显示模组及其制作方法、显示装置

(57)摘要

CN114578953A本发明提供一种显示模组及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于同时实现显示功能和表面触觉再现功能。该显示模组包括：衬底基板；多个压电结构，位于衬底基板的第一侧；至少一个隔离部，位于衬底基板的第一侧，且被配置为将任意两个相邻的压电结构分隔开；其中，压电结构、隔离部以及压电结构与隔离部之间三个位置中的至少一个位置上设置有像素孔；显示模组还包括多个像素结构，每个像素结构位

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CN114578953A权利要求书1/2页

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1.一种显示模组，其特征在于，包括：

衬底基板；

多个压电结构，位于所述衬底基板的第一侧；

至少一个隔离部，位于所述衬底基板的第一侧，且被配置为将任意两个相邻的压电结构分隔开；

其中，压电结构、隔离部以及压电结构与隔离部之间三个位置中的至少一个位置上设置有像素孔；

所述显示模组还包括多个像素结构，每个像素结构位于一个所述像素孔中。

2.根据权利要求1所述的显示模组，其特征在于，所述压电结构包括依次远离所述衬底基板的第一电极、压电膜和第二电极；

其中，至少部分所述像素孔中的每个所述像素孔穿过所述第一电极、所述压电膜和所述第二电极。

3.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，

所述压电膜的材料包括锆钛酸铅，所述压电膜的厚度为1μm～2μm。

4.根据权利要求2所述的显示模组，其特征在于，所述第一电极包括依次远离所述衬底基板的钛金属层和第一铂金属层，所述钛金属层的厚度为9nm～11nm,所述第一铂金属层的厚度为90nm～110nm;和/或，

所述第二电极包括第二铂金属层，所述第二铂金属层的厚度为45nm～55nm。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：

绝缘保护层，位于所述衬底基板的第一侧，所述绝缘保护层至少覆盖所述压电结构远离所述衬底基板的表面和所述压电结构靠近所述像素结构的侧面；

连接导线，位于所述绝缘保护层远离所述衬底基板的一侧，所述连接导线通过所述绝缘保护层上的过孔将多个所述压电结构的所述第二电极电连接在一起。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的显示模组，其特征在于，所述像素结构包括依次远离所述衬底基板的阴极、发光功能层和阳极；

其中，所述衬底基板为透明衬底基板，所述压电结构和所述隔离部在垂直于所述衬底基板的方向上均不透光，所述阳极包括反射电极。

7.根据权利要求6所述的显示模组，其特征在于，所述反射电极包括依次远离所述发光功能层的铝金属层和镁银合金层。

8.根据权利要求1～4中任一项所述的显示模组，其特征在于，

所述压电结构与所述隔离部沿平行于所述衬底基板的方向依次交替排列。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的显示模组，其特征在于，所述显示模组还包括：

封装层，位于所述衬底基板的第一侧，所述封装层被配置为将多个所述压电结构和多个所述像素结构封装于所述衬底基板上。

10.一种显示装置，包括：

如权利要求1～9中任一项所述的显示模组。

11.一种显示模组的制作方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板的第一侧形成多个压电结构；

CN114578953A权利要求书2/2页

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在所述衬底基板的第一侧形成至少一个隔离部，所述至少一个隔离部被配置为将任意两个相邻的压电结构分隔开；其中，压电结构、隔离部以及压电结构与隔离部之间三个位置中的至少一个位置上设置有像素孔；

在所述衬底基板的第一侧形成多个像素结构，每个像素结构位于一个所述像素孔中。

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