CN114582843A 芯片封装体及其制作方法 （天芯互联科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114582843A(43)申请公布日2022.06.03

(21)申请号202011379986.X

(22)申请日2020.11.30

(71)申请人天芯互联科技有限公司

地址518000广东省深圳市龙岗区坪地街

道高桥社区环坪路3号101

(72)发明人宋关强

(74)专利代理机构深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280

专利代理师黎坚怡

权利要求书2页说明书8页附图6页

(51)Int.CI.

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25/07(2006.01)

23/31(2006.01)

21/56(2006.01)

(54)发明名称

芯片封装体及其制作方法

(57)摘要

CN114582843A本申请提供一种芯片封装体及其制作方法。该芯片封装体包括导电基板、第一功率芯片、第二功率芯片、第一封装层、第二封装层、第一导电层、第二导电层及连通柱；其中，第一功率芯片贴装在导电基板的第一表面；第二功率芯片贴装在导电基板的与第一表面相背的第二表面；第一封装层和第二封装层分别覆盖第一功率芯片和第二功率芯片；第一导电层设置在第一封装层远离导电基板的一侧表面，并与第一功率芯片电性连接；第二导电层设置在第二封装层远离导电基板的一侧表面，并与第二功率芯片和导电基板电性连接；连通柱设置在第一导电层和第二导电层之间，以连通第一导电层和第二导电层。该芯片封

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CN114582843A权利要求书1/2页

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1.一种芯片封装体，其特征在于，包括：

导电基板；

第一功率芯片，贴装在所述导电基板的第一表面；

第二功率芯片，贴装在所述导电基板的与所述第一表面相背的第二表面；

第一封装层，覆盖所述第一功率芯片；

第二封装层，覆盖所述第二功率芯片；

第一导电层，设置在所述第一封装层远离所述导电基板的一侧表面，并与所述第一功率芯片电性连接；

第二导电层，设置在所述第二封装层远离所述导电基板的一侧表面，并与所述第二功率芯片和所述导电基板电性连接；

连通柱，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，用于连通所述第一导电层和所述第二导电层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层和所述第二封装层填满所述第一导电层、所述第二导电层之间的空间。

3.根据权利要求2所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层上开设有至少一个第一导通孔，所述第一导电层通过所述第一导通孔与所述第一功率芯片电性连接；

所述第二封装层上开设有至少一个第二导通孔、至少一个第三导通孔以及至少一个第四导通孔；

所述第二导电层包括相互绝缘的第一导电部、第二导电部以及第三导电部，所述第一导电部通过所述第二导通孔与所述第二功率芯片的第一连接点电性连接，所述第二导电部通过所述第三导通孔与所述第二功率芯片的不同于所述第一连接点的第二连接点电性连接，且通过所述连通柱与所述第一导电层电性连接，所述第三导电部通过所述第四导通孔与所述导电基板电性连接。

4.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部间隔设置。

5.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层上还开设有第五导通孔，所述第二封装层与所述第五导通孔对应的位置开设有第六导通孔，所述导通柱形成于所述第五导通孔和所述第六导通孔中。

6.根据权利要求1-5任一项所述的芯片封装体，其特征在于，还包括阻焊层，设置在所述第一封装层和所述第二封装层远离所述导电基板的一侧表面并覆盖所述第一导电层和所述第二导电层，用于保护所述第一导电层和所述第二导电层。

7.根据权利要求1-5任一项所述的芯片封装体，其特征在于，所述导电基板为厚铜板。

8.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一功率芯片为FRD芯片，所述第二功率芯片为IGBT芯片。

9.根据权利要求8所述的芯片封装体，其特征在于，所述FRD芯片的阴极与所述导电基板的第一表面电性连接，所述FRD芯片的阳极通过所述第一导通孔与所述第一导电层电性连接；所述IGBT芯片的集电极与所述导电基板的第二表面电性连接，所述IGBT芯片的门极通过所述第二导通孔与所述第一导电部连接，所述IGBT芯片的发射极通过所述第三