CN114519870A 光学图像采集单元、制作方法、光学图像采集器件及电子设备 （苏州苏大维格科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114519870A(43)申请公布日2022.05.20

(21)申请号202011279520.2

(22)申请日2020.11.16

(71)申请人苏州苏大维格科技集团股份有限公司

地址215123江苏省苏州市工业园区新昌

路68号

申请人苏州迈塔光电科技有限公司

(72)发明人朱昊枢邵仁锦左志成叶瑞刘朋浦东林陈林森朱志坚

(74)专利代理机构苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295

专利代理师唐静芳

(51)Int.CI.

GO6V40/13(2022.01)

GO6V10/10(2022.01)

权利要求书1页说明书5页附图4页

(54)发明名称

光学图像采集单元、制作方法、光学图像采集器件及电子设备

(57)摘要

CN114519870A本发明涉及一种光学图像采集单元、其制作方法、光学图像采集器件及电子设备。该光学图像采集单元通过上层遮光区和下层遮光区的配合，使其在结构上无需设置挡墙，与现有技术相比，整体厚度更小，结构相对简单；另外，通过下层遮光区还可以进一步减小散光的干扰，上层遮光区及下层遮光区结合可避免杂散光干扰，提高图像采集精度。该光学图像采集单元的制备方法通过制作上层遮光区和下层遮光区来实现挡光的作用，并且，下层遮光区的下开口直接通过激光结合微透镜即可实现，与现有技术相比，制作

CN114519870A

CN114519870A权利要求书1/1页

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1.一种光学图像采集单元，其特征在于，包括具有上表面和下表面的基材、形成在所述上表面上的上层遮光区和形成在所述下表面上的下层遮光区，所述上层遮光区上贯通形成有若干上开口，所述上表面上形成有微透镜阵列，所述微透镜阵列包括若干微透镜部，所述微透镜部穿过所述上开口以暴露在上层遮光区外，所述下层遮光区上贯通形成有若干下开口，所述微透镜部的正投影覆盖所述下开口。

2.如权利要求1所述的光学图像采集单元，其特征在于，所述微透镜部的焦点落在所述下开口内。

3.如权利要求1所述的光学图像采集单元，其特征在于，所述微透镜部的高度高于所述上层遮光区的高度。

4.如权利要求3所述的光学图像采集单元，其特征在于，所述上层遮光区的高度为1um~10um,所述下层遮光区的高度为lum～10um。

5.如权利要求1所述的光学图像采集单元片，其特征在于，所述微透镜部呈半球状。

6.如权利要求1或5所述的光学图像采集单元，其特征在于，所述微透镜部的直径为50~200um,矢高为10～50um,相邻所述微透镜部之间的间距为100um～500um。

7.一种光学图像采集单元的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基材，所述基础具有上表面和下表面；

在所述基材的上表面上形成微透镜阵列和上层遮光区，其中，所述微透镜阵列包括若干微透镜部，所述上层遮光区上贯通形成有若干上开口，所述微透镜部穿过所述开口以暴露在上层遮光区外；

在所述基材的下表面刮涂遮光层，以形成下遮光层；

在所述微透镜部上进行激光照射，以使所述下层遮光层中处于所述微透镜部焦点上的部分形成下开口。

8.如权利要求7所述的光学图像采集单元的制作方法，其特征在于，所述“微透镜阵列和上层遮光区”的形成方法包括：

在所述基材的上表面制作微透镜阵列，所述微透镜阵列包括若干微透镜部；

在所述上表面上涂覆非透光材料，所述非透光材料的厚度小于所述微透镜部的高度，所述非透光材料填充除所述微透镜阵列的其余区域，并在所述微透镜部上擦除多余的所述非透光材料，以形成上层遮光区。

9.一种光学图像采集器件，其特征在于，包括如权利要求1至6项中任一项所述的光学图像采集单元和对应所述光学图像采集单元设置的光电传感器单元。

10.一种电子设备，其特征在于，包括显示屏和设置在所述显示屏下方的光学指纹识别模组，所述光线指纹识别模组包括多个光学图像采集器件，所述光学图像采集器件可以包括多个如权利要求1至6项中任一项所述的光学图像采集单元形成的阵列。

CN114519870A说明书1/5页

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光学图像采集单元、制作方法、光学图像采集器件及电子设备

技术领域

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