CN114513183A 滤波器扇出封装结构及其制作方法 （厦门云天半导体科技有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114513183A(43)申请公布日2022.05.17

(21)申请号202111610946.6

(22)申请日2021.12.27

(71)申请人厦门云天半导体科技有限公司

地址361000福建省厦门市海沧区中沧工

业园坪埕中路28号302单元

(72)发明人黄剑洪姜峰于大全

(74)专利代理机构厦门市首创君合专利事务所有限公司35204

专利代理师连耀忠

(51)Int.CI.

HO3HHO3H

9/10(2006.01)3/08(2006.01)

权利要求书3页说明书8页附图10页

(54)发明名称

滤波器扇出封装结构及其制作方法

(57)摘要

CN114513183A本发明公开了一种滤波器扇出封装结构及其制作方法，滤波器芯片包括谐振区以及谐振区以外的非谐振区，非谐振区上设有焊盘，在另外提供的载板晶圆表面覆盖有粘合层，在粘合层上方制作围挡层，通过在围挡层上或者非谐振区上形成对位结构，对位结构的位置与焊盘相对应，并借助对位结构将滤波器芯片对位贴合在载板晶圆上以在谐振区上方形成第一空腔，并在滤波器芯片和围挡层的背面和侧面上覆盖塑封层，再移除载板晶圆和粘合层，并在围挡层上制作保护层，通过保护层上的第一通孔与对位结构设置金属连接结构和焊球。本发明能够解决滤波器芯片扇出封装的偏移和解决LT晶圆裂片问题，有效增强空腔结构耐模压性能，降低生产成本，实现超

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CN114513183A权利要求书1/3页

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1.一种滤波器扇出封装结构，其特征在于：包括滤波器芯片和塑封层，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述谐振区上方设置有第一空腔，所述非谐振区上设有焊盘，所述滤波器芯片上方设置有围挡层和对位结构，所述对位结构的位置与所述焊盘相对应，所述塑封层覆盖在所述滤波器芯片和所述围挡层的侧面和背面并使所述塑封层的表面与所述围挡层的表面平齐，在所述塑封层和所述围挡层的表面上设有保护层，在所述对位结构和保护层上设有第一通孔，所述第一通孔内填充金属构成金属连接结构，所述金属连接结构上设有焊球。

2.根据权利要求1所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述对位结构包括设置在所述围挡层的第二通孔，所述第二通孔的位置与所述滤波器芯片的焊盘相对应。

3.根据权利要求2所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述围挡层上设有第三通孔，所述第三通孔的侧壁与所述保护层和所述滤波器芯片的表面构成所述第一空腔。

4.根据权利要求3所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为干膜，厚度范围为20-50um。

5.根据权利要求2所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述对位结构还包括设置在所述围挡层和所述滤波器芯片之间的间隔层，所述间隔层具有裸露出所述焊盘的第四通孔以及裸露出所述滤波器芯片的谐振区的第五通孔，所述第五通孔的侧壁与所述围挡层和所述滤波器芯片的表面构成所述第一空腔。

6.根据权利要求1所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述保护层上方设有覆盖在所述焊球周围的强化层。

7.根据权利要求6所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述强化层包括干膜、胶或玻璃。

8.根据权利要求5-7中任一项所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述保护层的材料为干膜、玻璃或胶，所述保护层的厚度范围为20-50um。

9.根据权利要求1-7中任一项所述的滤波器扇出封装结构，其特征在于：所述围挡层的材料为可键合光刻胶或干膜，所述围挡层的厚度范围为5-50um。

10.一种滤波器扇出封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)提供载板晶圆和滤波器芯片，所述滤波器芯片包括谐振区以及所述谐振区以外的非谐振区，所述非谐振区上设有焊盘，所述载板晶圆表面覆盖有粘合层，在所述粘合层上方制作围挡层，在所述围挡层上对应于所述焊盘的位置制作对位结构；

2)通过所述对位结构将所述滤波器芯片对位贴合在所述载板晶圆上以在所述谐振区上方形成第一空腔，并且在所述对位结构与所述焊盘之间形成第二空腔；

3)在所述载板晶圆的粘合层上方塑封形成塑封层，所述塑封层覆盖所述滤波器芯片和围挡层的背面和侧面；

4)移除所述粘合层和所述载板晶圆，并在所述第二空腔对应的所述对位结构的位置形成裸露出所述焊盘的第一通孔；

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