硼掺杂纳米管MOSFET：光电输运特性的深度剖析与前沿洞察.docxVIP

硼掺杂纳米管MOSFET：光电输运特性的深度剖析与前沿洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，纳米技术已成为当今世界最具潜力的研究领域之一。纳米材料由于其独特的尺寸效应、表面效应和量子尺寸效应，展现出与传统材料截然不同的物理化学性质，在电子、能源、生物医学等众多领域引发了广泛关注与深入研究。碳纳米管作为一种典型的纳米材料，自1991年被发现以来，凭借其优异的电学、力学和热学性能，成为材料科学领域的研究热点。碳纳米管是由碳原子以六边形排列形成的管状结构，其直径通常在几纳米到几十纳米之间，长度可达微米甚至毫米量级。这种独特的结构赋予了碳纳米管许多优异的性能，如高电导率、高