CN114373878A 图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法 （北京京东方技术开发有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114373878A

(43)申请公布日2022.04.19

(21)申请号202011099330.2

(22)申请日2020.10.14

(71)申请人北京京东方技术开发有限公司

地址100176北京市大兴区经济技术开发

区地泽路9号1幢407室

申请人京东方科技集团股份有限公司

(72)发明人陈卓

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

代理人于本双

(51)Int.CI.

HO1L51/56(2006.01)

HO1L51/50(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图1页

(54)发明名称

在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，牺牲层包括第一组S100分，以及混合于第一组分内的第二组分，第二组

在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，牺牲层包括第一组S100分，以及混合于第一组分内的第二组分，第二组分在预设

条件下分解产生气泡，使第一组分形成孔洞

S200

在牺牲层的背离衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层

S300

在图案化的光刻胶层的遮挡下，对牺牲层刻蚀，形成牺牲层的图案

S400

在光刻胶层的背离牺牲层的一侧形成量子点膜层

$500

通过溶液溶解去除光刻胶，牺牲层，以及附着于牺牲层的量子点膜层，形成图案化的量子点发光层

S600

利用氧等离子体去除或氧化金属纳米粒子层未被源电极和漏电极覆盖的部分

(57)摘要

114373878ACN本发明公开了图案化量子点发光层的制作方法、发光器件的制作方法，以改善现有技术在制作高分辨率有机电致发光显示器件时，存在牺牲层难于去除，且去除过程中容易损伤量子点发光层，致使量子点发光器件效率较低的问题。所述图案化量子点发光层的制作方法，包括：在衬底基板的一侧形成牺牲层；在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀；在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；在预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子

114373878A

CN

CN114373878A权利要求书1/3页

2

1.一种图案化量子点发光层的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板的一侧形成牺牲层，其中，所述牺牲层包括第一组分，以及混合于所述第一组分内的第二组分，所述第二组分在预设条件下分解产生气泡，使所述第一组分形成孔洞；

在所述牺牲层的背离所述衬底基板的一侧形成图案化的光刻胶层；

在图案化的所述光刻胶层的遮挡下，对所述牺牲层刻蚀，形成所述牺牲层的图案；

在所述光刻胶层的背离所述牺牲层的一侧形成量子点膜层；

在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞；

通过溶液溶解去除所述光刻胶，所述牺牲层，以及附着于所述牺牲层的所述量子点膜层，形成图案化的量子点发光层。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一组分的材质为醇溶性高分子材料。

3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第一组分的材质包括：聚乙烯醇或聚乙烯吡咯烷酮。

4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材质为加热分解产生气体的小分子材料。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材料包括以下之一或组合：

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：

加热所述牺牲层，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞。

CN114373878A权利要求书2/3页

3

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第二组分的材料包括

所述在所述预设条件下，使所述第二组分分解，形成气泡，使所述第一组分形成孔洞，包括：

所述第二组分发生如下反应过程：

8.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述第