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- 2026-02-04 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN114372550A
(43)申请公布日2022.04.19
(21)申请号202210027170.3
(22)申请日2022.01.11
(71)申请人深圳永丰吉科技有限公司
地址518000广东省深圳市福田区福田街
道福安社区益田路4068号卓越时代广
场大厦3802-3804
(72)发明人姚竞谢菲姚立武
(74)专利代理机构深圳深知通专利代理事务所(普通合伙)44783
代理人邹圣姬
(51)Int.CI.
GO6K19/077(2006.01)
权利要求书2页说明书6页附图2页
(54)发明名称
复合式全息防伪标识贴膜及其制作方法
(57)摘要
CN114372550A本发明提供了一种复合式全息防伪标识贴膜及其制作方法,贴膜包括基片及附着于基片上的RFID层和多个信息层;所述RFID层设置RFID芯片,所述RFID芯片用于存储第一防伪信息和解密信息;所述信息层记载第二防伪信息,所述第二防伪信息分解为多个子信息段分别记载在多个信息层上,且存在至少一个信息层记载第二防伪信息的子信息段采用加密全息图像,所述加密全息图像采用所述RFID芯片存储的解密信息进行解密后读取。方法包括:将存储有第一防伪信息和解密信息的RFID芯片封装在基片上形成RFID层;将第二防伪信息分解为多个子信息段,且将至少一个子信息段加密成能够用RFID芯片存储的解密信息进行解密的加密全息图像;将各
CN114372550A
CN114372550A权利要求书1/2页
2
1.一种复合式全息防伪标识贴膜,其特征在于,包括基片及附着于基片上的RFID层和多个信息层;
所述RFID层设置RFID芯片,所述RFID芯片用于存储第一防伪信息和解密信息;
所述信息层记载第二防伪信息,所述第二防伪信息分解为多个子信息段分别记载在多个信息层上,且存在至少一个信息层记载第二防伪信息的子信息段采用加密全息图像,所述加密全息图像采用所述RFID芯片存储的解密信息进行解密后读取。
2.根据权利要求1所述的复合式全息防伪标识贴膜,其特征在于,所述RFID层和多个信息层位于基片的相同面,且RFID层位于基片与信息层之间;
或者,
存在至少一个信息层与所述RFID层位于基片的相背面,且RFID层与基片接触。
3.根据权利要求1所述的复合式全息防伪标识贴膜,其特征在于,当在基片的相同面设置多个信息层时,除距离基片最近的信息层外的信息层采用透明激光全息图像记载子信息段。
4.根据权利要求1所述的复合式全息防伪标识贴膜,其特征在于,所述RFID层和/或信息层背离基片的外表面设置保护层,所述保护层采用聚酯光透材料。
5.根据权利要求1所述的复合式全息防伪标识贴膜,其特征在于,所述基片采用硅晶材料,RFID层与基片接触,所述基片背离RFID层的表面设置金属层,所述金属层设置天线;
所述基片设有呈阵列的通孔,所述通孔内设置导电胶;
所述RFID芯片的凸点与天线采用导电胶连接;
所述RFID芯片采用以下方法封装在基片上:
基片采用硅晶材料,在基片表面通过沉积工艺形成金属层;
采用图形化工艺,通过第一次蚀刻在金属层制作设定图案的天线;
根据RFID芯片的凸点情况设置图案,通过第二次蚀刻在基片上呈阵列的通孔;
在通孔填充导电胶,导电胶的一端与天线连接,导电胶的另一端由通孔延伸至基片背离金属层的表面;
将RFID芯片贴装在基片背离金属层的表面形成RFID层,且RFID芯片的凸点与电胶的另一端连接。
6.一种复合式全息防伪标识贴膜的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S100将存储有第一防伪信息和解密信息的RFID芯片封装在基片上形成RFID层;
S200将第二防伪信息分解为多个子信息段,且将至少一个子信息段加密成能够用RFID芯片存储的解密信息进行解密的加密全息图像;
S300在设有RFID层的基片上制作多个信息层分别记载各子信息段,且存在至少一个信息层记载的子信息段为加密全息图像。
7.根据权利要求6所述的复合式全息防伪标识贴膜的制作方法,其特征在于,在S300步骤中,在RFID层背离基片的表面制作多个信息层;
或者,
在基片背离RFID层的表面制作至少一个信息层。
8.根据权利要求6所述的复合式全息防伪标识贴膜的制作方法,其特征在于,在S300
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