化学气相沉积原理与设备复习题试卷及答案.docxVIP

化学气相沉积原理与设备复习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分）

1.化学气相沉积（CVD）与物理气相沉积（PVD）的根本区别在于（）

A.沉积温度不同

B.成膜过程中的物质传递方式

C.薄膜附着力大小

D.适用基片材料

2.下列属于CVD热分解反应的是（）

A.SiH?+O?→SiO?+2H?

B.TiCl?+2H?→Ti+4HCl

C.SiH?→Si+2H?

D.W(CO)?→W+6CO

3.CVD设备中，质量流量计的主要作用是（）

A.控制反应室压力

B.精确调节气源流量

C.检测尾气成分

D.加热基片

4.低压CVD（LPCVD）相比常压CVD（APCVD）的优势不包括（）

A.提高薄膜均匀性

B.降低反应温度

C.减少气相成核

D.提高沉积速率

5.等离子体增强CVD（PECVD）中，等离子体的核心作用是（）

A.提供高温环境

B.激活反应物分子

C.增强基片附着力

D.减少设备能耗

6.原子层沉积（ALD）的“自限制性”是指（）

A.沉积速率随时间线性增加

B.单次循环沉积固定厚度的单原子层

C.反应温度不受限制

D.前驱体用量无限增加

7.CVD反应中，若温度过高，可能导致（）

A.沉积速率降低

B.薄膜晶粒细化

C.副反应增加

D.气相预反应减少

8.立式CVD反应室的主要特点是（）

A.结构简单，成本低

B.气流分布均匀，适合圆片沉积

C.适合大面积基片

D.低温操作

9.影响CVD薄膜均匀性的关键参数是（）

A.基片颜色

B.反应室温度分布

C.气源纯度

D.设备外观

10.尾气处理系统中，活性炭吸附主要用于处理（）

A.高温气体

B.有毒有机气体

C.金属颗粒

D.水蒸气

二、填空题（每空2分，共20分）

1.CVD反应的三个基本步骤包括气相扩散、________和表面反应/脱附。

2.为避免气相成核导致的颗粒污染，CVD工艺中可采取________和优化气流分布等措施。

3.反应室基片托架通常需具备________功能，以保证薄膜厚度均匀。

4.PECVD相比热CVD的最大优势是可显著________反应温度。

5.ALD工艺中，前驱体脉冲后需进行________步骤，以去除未反应的分子。

6.CVD反应热力学中，当反应Gibbs自由能ΔG________0时，反应可自发进行。

7.沉积Si?N?薄膜时，常用的气源组合是SiH?和________。

8.LPCVD的压力范围通常控制在________至________Pa。

9.薄膜针孔缺陷的主要成因之一是________导致的局部沉积不连续。

10.CVD设备加热系统中，红外加热的优点是________。

三、简答题（每题8分，共32分）

1.简述化学气相沉积的基本原理，并说明其与物理气相沉积（PVD）在成膜机制上的核心差异。

2.列举卧式、立式和旋转盘CVD反应室各1种典型应用场景，并说明选择依据。

3.解释低压CVD（LPCVD）工艺中，压力降低如何改善薄膜均匀性？

4.等离子体增强CVD（PECVD）在半导体工业中常用于制备钝化层，简述其优势及工艺控制要点。

四、论述题（每题9分，共18分）

1.在沉积SiO?薄膜时，若出现薄膜均匀性差且存在针孔，试从工艺参数（温度、压力、气流速率）和设备角度分析可能原因，并提出优化措施。

2.原子层沉积（ALD）在先进半导体节点（如3nm以下）中用于高k介质层沉积，结合其原理说明“自限制性”对薄膜厚度精度的保障作用，并分析其应用挑战。

五、计算题（10分）

在常压CVD系统中，沉积硅薄膜的反应为SiH?(g)→Si(s)+2H?(g)，反应速率方程为r=k·[SiH?]，其中k=2.5×103·exp(-150000/RT)（单位：mol·m?2·s?1，R=8.314J·mol?1·K?1）。已知反应温度1