CN114126392A 一种极化屏蔽状态独立控制的超材料结构及其制作方法 （航天特种材料及工艺技术研究所）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114126392A布日2022.03.01

(21)申请号202111339452.9

(22)申请日2021.11.12

(71)申请人航天特种材料及工艺技术研究所地址100074北京市丰台区云岗北里40号

院

(72)发明人樊君张春波黄修涛丛琳阳开华杨帆

(74)专利代理机构北京格允知识产权代理有限公司11609

代理人谭辉

(51)Int.CI.

HO5K9/00(2006.01)

HO1Q15/00(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图4页

(54)发明名称

一种极化屏蔽状态独立控制的超材料结构及其制作方法

(57)摘要

CN114126392A本发明涉及一种极化屏蔽状态独立控制的超材料结构及其制作方法。其中，极化屏蔽状态独立控制的超材料结构由五层结构组成，第一、第三及第五介质层既能起到隔离支撑作用、又能起到调节阻抗匹配的作用，第二金属微结构层加载有第二层金属单元、贴片电容和贴片电阻，第四金属微结构层加载有第四层金属单元和PIN管。本发明实现了超材料结构透波、屏蔽状态的

CN114126392A

CN114126392A权利要求书1/3页

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1.一种极化屏蔽状态独立控制的超材料结构，其特征在于，包括：

第一介质层，用于支撑微结构层及阻抗匹配；

第二金属微结构层，用于调节电磁传输；所述第二金属微结构层加载有第二层金属单元、贴片电容和贴片电阻；其中，所述第二层金属单元采用正方形栅格周期排列，阵列周期为p=7.5～7.8mm,所述第二层金属单元为四边伸出的方形环，该方形环的边长为a1=4~5mm、伸出长度为a2=0.2～1mm、环宽为w1=0.8～1.8mm,所述贴片电容焊接在每个所述第二层金属单元的一组对边上，所述贴片电容的电容值为C1=0.2～2pF,所述贴片电阻焊接在每个所述第二层金属单元的另一组对边上，所述贴片电阻的阻值为R1=200～300Ω;所述贴片电容和所述贴片电阻用于调节阻抗匹配；

第三介质层，用于支撑微结构层及阻抗匹配；

第四金属微结构层，用于调节电磁传输；所述第四金属微结构层加载有第四层金属单元和PIN管；其中，所述第四层金属单元采用正方形栅格周期排列，阵列周期为p=7.5~

7.8mm,所述第四层金属单元为正方形环内嵌一个十字形贴片，正方形环中心、十字形贴片中心以及栅格中心重合，所述十字形贴片的长度为b1=4～5mm、宽度为w3=1～1.5mm,所述正方形环的宽度为w2=0.5～1mm,所述PIN管对称加载于所述十字形贴片与所述正方形环之间，一组所述PIN管的方向为由所述正方形环向所述十字形贴片，另一组所述PIN管的方向为由所述十字形贴片向所述正方形环；所述PIN管用于调控结构透波状态的切换；

第五介质层，用于支撑微结构层及阻抗匹配；

所述第一介质层、所述第二金属微结构层、所述第三介质层、所述第四金属微结构层和所述第五介质层依次由上到下，且所述第二层金属单元与所述第四层金属单元采用对称性加载。

2.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于：

所述第一介质层、所述第三介质层和所述第五介质层是单一材料或复合材料。

3.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于：

所述第一介质层的厚度为h1=0.05p～0.1p;

所述第三介质层的厚度为h2=0.2p～0.3p;

所述第五介质层的厚度为h3=0.3p～0.5p。

4.根据权利要求1所述的超材料结构，其特征在于：

所述PIN管包括PIN1、PIN2、PIN3和PIN4,其中，所述PIN1和所述PIN3为一组，焊接方向为由所述正方形环向所述十字形贴片，所述PIN2和所述PIN4为一组，焊接方向为由所述十字形贴片向所述正方形环；

其中，

当所述PIN1、所述PIN2、所述PIN3和所述PIN4均处于断开状态时，在X波段具备电磁透波通带，且在L、S以及K波段具备电磁屏蔽功能；

当所述PIN1和所述PIN3两端加载正向电压控制其导通时，在X波段对垂直极化波的屏蔽，且保持对水平极化波的透过；

当所述PIN2和所述PIN4两端加载正向电压控制其导通时，在X波段实现对水平极化波的屏蔽，且保持对垂直极化波的透过。

5.根据权利要求4所述的超