CN114122184A 光电转换结构、其制作方法、图像传感器及电子设备 （京东方科技集团股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114122184A布日2022.03.01

(21)申请号202111390461.0

(22)申请日2021.11.23

(71)申请人京东方科技集团股份有限公司

地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号

申请人鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司

(72)发明人李峰闫雷方业周李伟谢建云

(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291

代理人丁睿

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1L

31/105(2006.01)

31/18(2006.01)

27/146(2006.01)

权利要求书3页说明书12页附图16页

(54)发明名称

光电转换结构、其制作方法、图像传感器及电子设备

(57)摘要

CN114122184A本发明实施例提供了一种光电转换结构、其制作方法、图像传感器及电子设备，包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，其中，本征半导体层包括叠层设置的非晶硅层和多晶硅层。本发明通过将本征半导体层设置成由非晶硅层和多晶硅层叠层设置的复合结构，这样就可以结合非晶硅层和多晶硅层分别对不同波段光的吸收优势，可以有效提升本征半导体层的光吸收效率，从而使本征半导体层达到更高的光电转换能力，进而提高光电转换结构的外量子效率以及灵

CN114122184A

CN114122184A权利要求书1/3页

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1.一种光电转换结构，其特征在于，包括N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层，其中，所述本征半导体层包括叠层设置的非晶硅层和多晶硅层。

2.如权利要求1所述的光电转换结构，其特征在于，所述N型半导体层和所述P型半导体层叠层设置，所述本征半导体层位于所述N型半导体层和所述P型半导体层之间，且所述非晶硅层与所述多晶硅层叠层交替设置。

3.如权利要求2所述的光电转换结构，其特征在于，所述非晶硅层与所述多晶硅层的数量之和至少为3层。

4.如权利要求3所述的光电转换结构，其特征在于，所述N型半导体层与所述非晶硅层接触设置，所述P型半导体层与所述非晶硅层接触设置。

5.如权利要求1所述的光电转换结构，其特征在于，所述非晶硅层与所述多晶硅层的层数均为一层，所述N型半导体层、所述P型半导体层和所述多晶硅层位于同一膜层，且所述N型半导体层和所述P型半导体层分别位于所述多晶硅层的相对两侧，且所述非晶硅层位于所述多晶硅层的下方。

6.如权利要求5所述的光电转换结构，其特征在于，所述多晶硅层完全包裹所述非晶硅层，且所述N型半导体层、所述P型半导体层与所述非晶硅层不接触。

7.如权利要求5所述的光电转换结构，其特征在于，所述N型半导体层和所述P型半导体层均位于所述非晶硅层上。

8.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的检测电路，以及与所述检测电路电连接的如权利要求1-7任一项所述的光电转换结构。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换结构的N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层依次叠层设置，所述光电转换结构位于所述检测电路背离衬底基板的一侧，所述N型半导体层靠近所述检测电路；其中，

所述光电转换结构还包括：位于所述N型半导体层背离所述P型半导体层一侧的第一电极，以及位于所述P型半导体层背离所述N型半导体层一侧的第二电极；

所述检测电路包括信号读取晶体管，所述第一电极与所述信号读取晶体管的栅极电连接。

10.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换结构的N型半导体层和P型半导体层分别位于所述多晶硅层的相对两侧；

所述检测电路包括信号读取晶体管，所述信号读取晶体管的有源层与所述多晶硅层同层设置。

11.如权利要求10所述的图像传感器，其特征在于，所述光电转换结构还包括：与所述信号读取晶体管的源漏电极同层设置且相互绝缘的第一电极和第二电极；所述第一电极与所述N型半导体层电连接，所述第二电极与所述P型半导体层电连接；

所述第一电极与所述信号读取晶体管的栅极电连接。

12.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求8-11任一项所述的图像传感器。

13.一种如权利要求1-7任一项所述的光电转换结构的制作方法，其特征在于，包括：

形成N型半导体层、本征半导体层和P型半导体层；其中，所述本征半导体层包括叠层设置的非晶硅层和多晶硅层