摘要
摘要
金属有机化合物化学气相沉积法(MetalOrganicChemicalVaporDeposition,
MOCVDLEDGaN
)是在芯片制备过程中用于氮化镓()薄膜外延生长的主要
方法。石墨基座是MOCVD设备中的核心零部件之一,直接决定薄膜材料的均
匀性和纯度。氨气是氮化镓基LED芯片的
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