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KE-2N19F-30功率MOSFET中文使用手册（详细版）

前言

欢迎使用KE-2N19F-30系列N沟道增强型功率MOSFET（以下简称“KE-2N19F-30器件”）。本手册专为电子研发工程师、生产制造技术人员、维修调试人员及产品选型专员打造，全面覆盖该器件的核心特性、技术参数、引脚定义与封装、内部结构、典型应用电路、驱动设计规范、散热方案、故障排查及安全注意事项等关键内容，旨在帮助用户快速掌握器件的应用要点，高效完成功率开关电路的设计与调试，确保产品在高压、大电流场景下的稳定性、可靠性与安全性。

KE-2N19F-30是一款专为中高压功率开关场景设计的N沟道增强型MOSFET器件，采用先进的沟槽半导体工艺制造，具备低导通电阻、快开关速度、高雪崩耐量、宽安全工作区等核心优势。器件额定电压300V、额定电流20A，可广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、电焊机、LED驱动等各类需要高效功率控制的电子设备中，是中功率应用场景的理想功率开关解决方案。

本手册适用于KE-2N19F-30全系列型号（含KE-2N19F-30L、KE-2N19F-30H等后缀版本，后缀差异主要体现在导通电阻精度、开关速度等级及温度特性上）。在进行电路设计、器件焊接、系统调试及批量生产前，请务必仔细阅读本手册中的技术参数、应用规范及安全警示，严格按照手册指引开展工作，以避免器件损坏、电路故障或安全隐患。

第一章产品概述

1.1品牌与产品定位

KE-2N19F-30由韩国KEC（KoreaElectronicsCo.,Ltd.）或国内知名功率半导体厂商研发生产，KEC作为全球领先的功率半导体解决方案供应商，专注于MOSFET、IGBT、二极管、三极管等功率器件的研发、生产与销售，产品广泛应用于工业控制、新能源、汽车电子、消费电子等领域。KE-2N19F-30作为该品牌旗下的经典中高压功率MOSFET产品，凭借优异的性价比、稳定的开关性能及可靠的散热表现，成为中功率开关电路设计的主流选择。

该器件的核心定位是为用户提供“高效、可靠、易集成”的中高压功率开关方案，通过先进的沟槽工艺降低导通损耗，提升开关频率，同时优化器件的雪崩耐量与安全工作区，满足各类中功率电子设备对高效节能、长期稳定运行的核心需求，兼顾研发便捷性与生产经济性。

1.2核心功能特性

KE-2N19F-30采用N沟道增强型结构，TO-220/TO-247标准功率封装，内部集成静电保护与雪崩击穿保护机制，核心特性如下，全面适配中高压功率开关需求：

宽电压高电流适配：额定漏源电压VDS=300V，连续漏极电流ID=20A（TA=25℃），峰值漏极电流IDM=80A，可适配多数中高压中功率应用场景，负载驱动能力强劲。

低导通损耗：采用先进沟槽工艺，导通电阻RDS(ON)典型值仅0.15Ω（VGS=10V，ID=10A），导通损耗远低于传统平面MOSFET，有效提升电路整体效率。

快开关响应：栅极电荷Qg典型值25nC（VGS=10V），开关时间（开通时间ton、关断时间toff）均在100ns以内，支持高频开关应用（最高开关频率可达100kHz），减少开关损耗。

高雪崩耐量：具备优异的雪崩击穿保护能力，雪崩能量EAS典型值100mJ（TA=25℃），可承受瞬时过压冲击，降低器件因电压尖峰损坏的风险，提升电路抗干扰能力。

宽安全工作区：内置完善的安全工作区（SOA）保护，支持连续导通、脉冲导通等多种工作模式，在高温、过载等极端条件下仍能稳定工作，可靠性高。

静电防护能力：栅极内置静电保护二极管，人体模型（HBM）静电防护等级达±2kV，机器模型（MM）达±500V，可有效抵御装配与使用过程中的静电干扰。

标准功率封装：采用TO-220（直插）/TO-247（功率增强型）标准封装，散热性能优异，便于手工焊接与批量生产，适配各类PCB设计需求。

宽温度适配范围：工作结温范围-55℃~150℃，可耐受恶劣工业环境与高温工作场景，环境适应性强。

1.3适用场景

基于其宽电压、高电流、低损耗、快开关等核心特性，KE-2N19F-30广泛应用于各类中高压中功率电子设备的功率开关电路，核心应用场景如下：

开关电源领域：用于反激式开关电源（Flyback）、正激式开关电源（Forward）的初级侧功率开关，适配220V市电输入场景，如适配器、充电器、工业电源模块等，提升电源转换效率。

电机驱动领域：适配直流电机（DCMotor）、步进电机的驱动电路，如电动工具、机器人、打印机、汽车门窗控制器等，实现电机的启停与调速控制，开关响应迅速。

新能源领域：用于小型逆变器（如光伏微型逆变器、车载逆变器）、储能设备的功率转换电路，耐受高压环境，降低能量损耗，提升能源利用效率。

工业控制领域：适配电焊机、变