CN114141762A 一种多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法 （沛顿科技（深圳）有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114141762A

(43)申请公布日2022.03.04

(21)申请号202111432356.9

(22)申请日2021.11.29

(71)申请人沛顿科技(深圳)有限公司

地址518000广东省深圳市福田区彩田路1

号厂房第一层2号、第四层南区

(72)发明人张力

(74)专利代理机构东莞市中正知识产权事务所(普通合伙)44231

代理人徐康

(51)Int.CI.

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25/16(2006.01)

21/56(2006.01)

23/31(2006.01)23/488(2006.01)

21/60(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

一种多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法

(57)摘要

CN114141762A本发明公开了一种多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，属于芯片制作领域，包括以下步骤：S1:准备原始晶圆片A和原始晶圆片B,将两者研磨和切割成为单颗芯片，将芯片A作为存储芯片，芯片B作为主控芯片；S2:原始晶圆片A的晶粒通过常规的固晶贴片工艺贴到玻璃载板1上；S3:在S2中获得的玻璃载板1最上面贴一层支撑片C,采用粘接膜(DAF)粘贴；S4:原始晶圆片B的晶粒通过常规的倒装贴片的工艺贴到玻璃载板2上。无需封装基板，整体封装厚度可以降低，使用RDL工艺取代基板，厚度仅有常规封装基板的1/10左

CN114141762A

S8

CN114141762A权利要求书1/1页

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1.一种多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:准备原始晶圆片A和原始晶圆片B,将两者研磨和切割成为单颗芯片，将芯片A作为存储芯片，芯片B作为主控芯片；

S2:原始晶圆片A的晶粒通过常规的固晶贴片工艺贴到玻璃载板1上；

S3:在S2中获得的玻璃载板1最上面贴一层支撑片C,采用粘接膜(DAF)粘贴；

S4:原始晶圆片B的晶粒通过常规的倒装贴片的工艺贴到玻璃载板2上；

S5:将在S3中获得的玻璃载板1通过加热或者激光解胶的方式，使得临时粘接胶失去粘接力，再通过倒装贴片的方式，将堆叠芯片从玻璃载板1上面剥离后倒贴到玻璃载板2上面；

S6:将步骤S5中获得的玻璃载板1和玻璃载板2的倒装结构进行模封填充，形成所述塑

封层；

S7:底部通过光刻的方式涂布一层PI(聚酰亚胺),并进行清洗、模封胶去除等操作；

S8:通过溅射、光刻、电镀等晶圆FOWLP制造工艺，将芯片A1金线与芯片B进行连接，再通过一次或者多次工艺流程，将电路连接到外部的锡球连接位，并进行电镀生长锡球或者植球，最后将产品进行切割分离，成为一个个独立的封装芯片。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，用于步骤S2和S4中，原始晶圆片A的粘贴方式为：芯片从第一层开始分别为A1,A2,A3,……A8,芯片A1与玻璃载板之间通过临时粘接胶固定，芯片与芯片之间采用粘接膜(DAF)粘贴；

原始晶圆片B的粘贴方式为：芯片B与玻璃载板之间通过临时粘接胶固定。

3.根据权利要求1所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，用于步骤S3中，支撑片C材质为硅片，支撑片C的厚度一般在45um,DAF厚度10um,A8焊线线弧高50um,其中，支撑片C厚度+粘接膜厚度55um略高于芯片A8焊线线弧50um即可，然后对芯片A1～A8采用常规的键合工艺进行Wirebonding焊线。

4.根据权利要求1所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，用于步骤S6中，形成所述塑封层的方法包括但不限于压缩成型、传递模塑成型、液封成型、真空层压及旋涂中的任意一种。

5.根据权利要求4所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，所述塑封层的材质可以是可固化材料，如聚合物基材料、树脂基材料、聚酰胺、环氧树脂及其任何组合。

6.根据权利要求5所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，用激光或热剥离的办法将玻璃载板2剥离。

7.根据权利要求2所述的多芯片堆叠扇出型封装结构制作方法，其特征在于，用于步骤S7中，芯片B和芯片A1金线位置露出，再通过化学溶剂进行单面清洗的方式，将芯片A1金线处的模封胶去除，保证A1金线暴露出来，其中，芯