CN114265197A 准静态偏转的电热式mems微镜及其制作方法 （青岛科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN114265197A布日2022.04.01

(21)申请号202111547362.9

(22)申请日2021.12.16

(71)申请人青岛科技大学

地址266000山东省青岛市崂山区松岭路

99号

(72)发明人张博伦祝方舟李庆党杨晓晖和学泰

(74)专利代理机构山东重诺律师事务所37228代理人冷奎亨

(51)Int.CI.

GO2B26/08(2006.01)

F21S41/675(2018.01)

F21V14/04(2006.01)

F21W102/20(2018.01)

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

准静态偏转的电热式MEMS微镜及其制作方法

(57)摘要

CN114265197A本发明公开了一种准静态偏转的电热式MEMS微镜及其制作方法。该电热式MEMS微镜包括基底层、电热驱动层和镜片应用层；电热驱动层从上至下依次为高膨胀层、电阻加热层、低膨胀层，电热驱动层的一端与基底层连接，另一端可以相对于基底层进行偏转，电阻加热层通过引线连接外部电源；当电阻加热层通电发热使高膨胀层、低膨胀层吸热膨胀并产生弯曲，带动镜片应用层沿电热驱动层与基底层的连接端偏转，调节电阻加热层的电流可以控制高膨胀层、低膨胀层的温度以及镜片应用层的偏转角度。基于本发明制造的光调配器件，能够实现光线聚焦、反射、散

CN114265197A

CN114265197A权利要求书1/1页

2

1.准静态偏转的电热式MEMS微镜，所述MEMS微镜包括带有镜片金属层的镜片应用层，其特征在于，所述镜片应用层底面与电热驱动层连接，电热驱动层下方设置基底层；所述电热驱动层从上至下依次为高膨胀层、电阻加热层、低膨胀层，电热驱动层的一端与基底层连接，另一端可以相对于基底层进行偏转，电阻加热层通过引线连接外部电源；当电阻加热层通电发热使高膨胀层、低膨胀层吸热膨胀并产生弯曲，带动镜片应用层沿电热驱动层与基底层的连接端偏转，调节电阻加热层的电流可以控制高膨胀层、低膨胀层的温度以及所述镜片应用层的偏转角度。

2.根据权利要求1所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述镜片应用层从上至下依次为镜片补偿层、镜片金属层和镜片承载层；所述镜片补偿层和镜片金属层面积应小于镜片承载层。

3.根据权利要求2所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述镜片金属层采用聚酰亚胺材料制成，镜片承载层采用陶瓷材料制成，镜片补偿层采用Si0?或者Si?N?材料制成。

4.根据权利要求1所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述引线设置在基底层内，引线位于电热驱动层与基底层连接端的外侧。

5.根据权利要求1所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述基底层内设有与引线电连接的导电金属层，导电金属层位于电热驱动层与基底层连接端的外侧。

6.根据权利要求5所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述导电金属层、引线为钛或者铂金属材料制成。

7.根据权利要求1所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述低膨胀层采用二氧化硅材料制成，高膨胀层采用铝或者铜金属材料制成，电阻加热层为钛或者铂金属材料制成的导电薄膜。

8.根据权利要求1所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述基底层采用SiO?或者Si?N?材料制成。

9.准静态偏转的电热式MEMS微镜制作方法，包括权利要求1-8任一所述的电热式MEMS微镜，其特征在于，所述制作方法步骤如下：

S1清洗基底层，使用光刻法再图形化生长牺牲层作为基座；

S2使用化学气相沉积方法在牺牲层上沉积低膨胀层，低膨胀层上沉积电阻加热层；

S3采用光刻法在电阻加热层与基底层上刻蚀引线；

S4使用化学气相沉积方法在电阻加热层上沉积高膨胀层；

S5去除牺牲层，使用物理气相沉积在高膨胀层上沉积镜片应用层的镜片承载层，然后在镜片承载层上沉积镜片金属层、镜片补偿层。

10.根据权利要求9所述的准静态偏转的电热式MEMS微镜制作方法，其特征在于，步骤S1的基座制作后，使用化学气相沉积方法在基座上生长导电金属层，所述导电金属层与引线电连接。

CN114265197A