摘要
随着电力电子技术的发展,宽禁带半导体器件凭借其高频率、高集成度和高
功率密度展现出优异性能。然而,器件在高温和高功率密度下工作时,封装材料
需具备高温稳定性、导热性和良好的电气性能。纳米银焊膏因其高导电性、导热
性和高熔点成为理想芯片连接材料,但连接层与芯片之间热膨胀系数不匹配所产
生的热应力会在高工作温度和高功率密度的工作条件下更大,导致器件失效。这
种现象要求连接界面以及连接层具有高延展性,才能有效
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