CN114242639A 一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法 （华进半导体封装先导技术研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114242639A

(43)申请公布日2022.03.25

(21)申请号202111524655.5

(22)申请日2021.12.14

(71)申请人华进半导体封装先导技术研发中心有限公司

地址214028江苏省无锡市新区菱湖大道

200号中国传感网国际创新园D1栋申请人上海先方半导体有限公司

(72)发明人戴风伟

(74)专利代理机构上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31313

代理人张东梅

(51)Int.CI.

HO1L21/683(2006.01)

HO1L23/31(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图1页

(54)发明名称

一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法

(57)摘要

CN114242639A本发明涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，包括：提供完成塑封减薄的晶圆；在晶圆的背面制作粘附层；以及通过临时键合胶将带有粘附层的晶圆与载片进行临时键合。本发明还涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，包括：完成塑封减薄的晶圆；粘附层，所述粘附层覆盖在所述晶圆的背面；键合胶层，所述键合胶层覆盖在所述粘附层的上方；以及载片，所述载片设置在所述键合胶层的上方。该方法和结构通过在减薄后的塑封层表面旋涂一层有机材料，并选择性的进行光刻，然后进行临时键合工艺，可以有效提高载片

CN114242639A

CN114242639A权利要求书1/1页

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1.一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，包括：

提供完成塑封减薄的晶圆；

在晶圆的背面制作粘附层；以及

通过临时键合胶将带有粘附层的晶圆与载片进行临时键合。

2.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，其特征在于，还包括：对粘附层进行光刻工艺，去除所述晶圆中的芯片上方的粘附层。

3.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，其特征在于，通过在所述晶圆的背面旋涂有机材料形成所述粘附层。

4.如权利要求2所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，其特征在于，所述粘附层的材料为感光树脂。

5.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，其特征在于，在所述粘附层的上方涂覆临时键合胶形成键合胶层；

将设置有所述键合胶层的晶圆与所述载片进行键合，得到临时晶圆键合对。

6.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，其特征在于，在所述载片的表面涂覆临时键合胶形成键合胶层；

通过将所述载片表面的键合胶层与所述晶圆背面的粘附层进行键合，得到临时晶圆键合对。

7.一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，包括：

完成塑封减薄的晶圆；

粘附层，所述粘附层覆盖在所述晶圆的背面；

键合胶层，所述键合胶层覆盖在所述粘附层的上方；以及

载片，所述载片设置在所述键合胶层的上方。

8.如权利要求7所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，其特征在于，所述完成塑封减薄的晶圆，包括：

芯片；

金属焊盘，所述金属焊盘位于所述芯片的正面；

塑封层，所述塑封层包裹所述芯片；

钝化层，所述钝化层覆盖在所述芯片和塑封层的正面，包裹所述金属焊盘。

9.如权利要求7或8所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，其特征在于，所述粘附层覆盖在所述芯片和塑封层的背面。

10.如权利要求7或8所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，其特征在于，所述粘附层覆盖在所述塑封层的背面。

CN114242639A说明书1/4页

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一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法

技术领域

[0001]本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法。

背景技术

[0002]随着科技的发展，电子产品越来越趋向小型化和多功能化。人们将电子系统越做越小，集成度越来越高，功能越来越多、越来越强，为满足这些需求，半导体工业要将器件晶圆减薄至100微米或以下。超薄晶圆易碎性，并且容易翘曲和起伏，这些缺点成为了器件晶圆减薄和薄芯片处理