CN114249294A 一种多层mems结构及其制作方法与应用 （上海新微技术研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN114249294A

(43)申请公布日2022.03.29

(21)申请号202011002265.7

(22)申请日2020.09.22

(71)申请人上海新微技术研发中心有限公司地址201800上海市嘉定区城北路235号1

号楼

(72)发明人吴炫烨关一民

(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219

代理人刘星

(51)Int.CI.

B81BB81C

7/02(2006.01)1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

一种多层MEMS结构及其制作方法与应用

(57)摘要

CN114249294A本发明提供一种多层MEMS结构及其制作方法与应用，该制作方法包括以下步骤：第一次覆膜及图形化步骤：在衬底上覆盖第一光敏干膜，图形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；第二次覆膜及图形化步骤：在所述第一光敏光膜上覆盖第二光敏干膜，图形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。其中，若所需层数多于两层，可根据所需层数继续执行覆膜及图形化步骤至少一次。本发明使用至少两层光敏干膜实现多层MEMS结构的制造，各层结构更为平整，曝光更加均匀，可以减小结构误差，从而提高多层MEMS结构制造的良率。该多层

CN114249294A

第一次覆膜及图形化步骤：在衬底上覆盖第一光敏

干膜，图形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；

第二次覆膜及图形化步骤：在所述第一光敏光膜上

覆盖第二光敏干膜，图形化所述第二光敏干膜，得

到第二空腔于所述第二光敏干膜中。

S2

CN114249294A权利要求书1/2页

2

1.一种多层MEMS结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一次覆膜及图形化步骤：在衬底上覆盖第一光敏干膜，图形化所述第一光敏干膜，得到第一空腔于所述第一光敏干膜中；

第二次覆膜及图形化步骤：在所述第一光敏光膜上覆盖第二光敏干膜，图形化所述第二光敏干膜，得到第二空腔于所述第二光敏干膜中。

2.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：继续执行覆膜及图形化步骤至少一次，得到自下而上依次堆叠于所述衬底上的至少三层图形化的光敏干膜。

3.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述覆膜通过手动或/和自动贴膜机完成。

4.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：在每一次覆膜过程中或每一次覆膜之后，加热所述衬底至预设温度，并在所覆盖的光敏干膜表面施加预设压力。

5.根据权利要求4所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述预设温度的范围是40℃~90℃,所述预设压力的范围是2kPa～10kPa,施加所述预设压力的持续时间是1分钟～10分钟。

6.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述图形化包括紫外光照射曝光步骤、曝光后烘烤步骤及显影步骤。

7.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述第一光敏干膜或所述第二光敏干膜的厚度范围是5微米～1000微米。

8.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述第二空腔与所述第一空腔连通。

9.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述第二空腔的开口面积大于或小于所述第一空腔的开口面积。

10.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：所述衬底表面设有电极层，所述第一空腔暴露出所述电极层。

11.根据权利要求1所述的多层MEMS结构的制作方法，其特征在于：执行第一次覆膜及图形化步骤之前，清洁所述衬底表面。

12.一种多层MEMS结构在纳米孔测序芯片中的应用，其特征在于：所述多层MEMS结构采用如权利要求1-11任意一项所述的多层MEMS结构的制作方法制作得到，所述纳米孔测序芯片包括样品腔、磷脂层及蛋白纳米孔，所述第一空腔及所述第二空腔作为所述样品腔的组成部分，所述磷脂层固定于所述样品腔的内壁，并悬设于所述样品腔中，所述蛋白纳米孔与所述磷脂层连接，并在垂直方向上贯穿所述磷脂层。

13.一种多层MEMS结构，其特征在于，包括：

衬底；

至少两层光敏干膜，自下而上依次堆叠于所述衬底上，所述光敏干膜中设有空腔。

14.根据