CN112714692B 光学光导和制作光学光导的方法 （ams传感器新加坡私人有限公司）.docxVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN112714692B(45)授权公告日2023.08.11

(21)申请号201980060785.2

(22)申请日2019.09.13

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN112714692A

(43)申请公布日2021.04.27

(30)优先权数据

62/732,2912018.09.17US

(85)PCT国际申请进入国家阶段日

2021.03.17

(86)PCT国际申请的申请数据

PCT/SG2019/0504602019.09.13

(87)PCT国际申请的公布数据

WO2020/060485EN2020.03.26

(73)专利权人ams传感器新加坡私人有限公司地址新加坡新加坡城

(72)发明人尼古拉.斯普林杰斯.盖格

D.摩根

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

专利代理师邓亚楠

(51)Int.CI.

B29D11/00(2006.01)

F21V8/00(2006.01)

(56)对比文件

CN103959465A,2014.07.30

CN104106138A,2014.10.15

US2017309685A1,2017.10.26CN101630123A,2010.01.20

CN104570210A,2015.04.29

CN1740830A,2006.03.01

CN1836179A,2006.09.20

US2003020189A1,2003.01.30审查员高菲菲

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

100提供载体

100

提供载体

102

在载体表面提供低指数包层

104

使用复制技术形成每个光导的第一部分

106

使用光刻技术形成每个光导的第二部分

108

分离成单独的光导模块

(57)摘要

CN112714692B制造光导元件包括使用复制技术形成光导元件的第一部分(104),以及使用光刻技术形成光导元件的第二部分(106)。使用复制可以促进形成更复杂形状的光学元件作为光导元件的一部分。复制工艺有时会导致形成“庭院”,或过量的复制材料，如果不将其消除或平滑，则其可能会导致光泄漏。在一些情况下，庭院部分的至少

CN112714692B

CN112714692B权利要求书1/2页

2

1.一种制作光导元件的方法，该光导元件包括穿过其的光学路径，该方法包括：

通过复制工艺形成所述光导元件的第一部分；

通过光刻工艺形成所述光导元件的第二部分；和

在载体上形成所述第一部分和所述第二部分；所述第一部分和所述第二部分被集成并光学地耦合在一起；

其中所述复制工艺形成包括所述第一部分和边缘部分的复制结构；所述第二部分包住所述边缘部分；以及

其中所述载体包括一个或多个底部内切，该一个或多个底部内切被配置为将所述边缘部分的过渡点移动到所述光学路径之外。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光导元件作为晶片级工艺的一部分而形成，在所述晶片级工艺中同时形成多个光导元件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分限定所述光导元件的光入口或光出口区域。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分具有楔形形状。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分限定光学元件。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分限定棱镜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分限定透镜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一部分限定光学光栅。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述第二部分具有横向于所述光导元件中的光传播的主方向的矩形横截面。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中形成所述光导元件的第二部分包括施加可光结构化的材料。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中形成所述光导元件的第一部分包括：

在复制工具的复制区上提供复制材料；

使所述载体与所述复制工具的所述复制区接触，以便在限定所述复制区的区域和所述载体的表面之间挤压所述复制材料；和

使所述复制材料被硬化。

12.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述光刻工艺导致所述边缘部分的至少一部分的平滑。

13.根据权利要求1-8中任一项所述的方法，其中所述方法还包括通过激光烧蚀移除所述边缘部分的至少一部分