CN113203769A 一种高气密性的微型热导检测器及其制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113203769A

(43)申请公布日2021.08.03

(21)申请号202110404609.5B81C1/00(2006.01)

(22)申请日2021.04.15

(71)申请人电子科技大学

地址611731四川省成都市高新区(西区)

西源大道2006号

(72)发明人许向东熊可周玉龙胡君杰张敏刚蒋亚东冯元婷谷雨成晓梦刘晋荣李尤徐明辉

(74)专利代理机构电子科技大学专利中心51203

代理人吴姗霖

(51)Int.CI.

GO1N25/20(2006.01)

GO1N30/66(2006.01)

B81B1/00(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图1页

(54)发明名称

一种高气密性的微型热导检测器及其制作方法

(57)摘要

CN113203769A本发明公开了一种高气密性的微型热导检测器及其制作方法，先在硅基底上制备热敏电阻和电极，再刻蚀出键合区域；通过腐蚀出气流通道、缓冲通道和密封通道释放微桥；硅基底和玻璃封帽直接键合封装。其中：1)气体通道由外侧的密封通道、中间的缓冲通道、内侧的气流通道三个口径依次减小的通道构成；2)硅基底的宽度大于玻璃封帽的宽度；3)采用金属作为掩膜，有效地去除硅表面的氮化硅膜并保护键合区域。本发明微型热导检测器，不仅能够避免密封胶容易堵塞检测器气体管道的问题，还明显地提高硅基底与玻璃封帽的键合强度，解决了检测器气流通

CN113203769A

CN113203769A权利要求书1/2页

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1.一种高气密性的微型热导检测器，包括硅基底，位于硅基底之上的热敏电阻膜、电极膜、微桥结构和玻璃封帽，所述硅基底中设置气体通道，其特征在于，所述气体通道由外侧的密封通道、中间的缓冲通道、内侧的气流通道三个口径依次减小的通道构成；所述硅基底的宽度大于玻璃封帽的宽度。

2.根据权利要求1所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，所述外侧的密封通道的口径C和中间的缓冲通道的口径B的比值I=C:B,I的取值范围为1.01～10;中间的缓冲通道的口径B和内侧的气流通道的口径A的比值H=B:A,H的取值范围为1.01～10。

3.根据权利要求1所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，所述热导检测器的硅基底的宽度M与玻璃封帽的宽度N的比值L=M:N,L的取值范围为1.01～50;玻璃封帽上气流沟道的口径D和硅基底上密封通道的口径C的比值G=D:C,G的取值范围为1～10。

4.根据权利要求1所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，所述玻璃封帽通过键合区域与硅基底结合，硅基底的键合区域的表面为硅，在形成检测器的键合区域之后，再采用金属膜进行填充和保护。

5.根据权利要求4所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，位于中间的第一键合区域的宽度E1与气流通道的口径A的比值J=E1:A,J的取值范围为0.5～50;位于两侧的第二键合区域的宽度E2与气流通道的口径A的比值K=E2:A,K的取值范围为1～100。

6.根据权利要求1所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，所述检测器的热敏电阻膜的材料为铂、钨、钛、铝、镍、银、铁镍合金、镍铬合金、钛钨合金、铼钨合金、氧化钒、氧化钛、硅化钛、氮化钨、硅化钨中的一种或几种；电极膜的材料为铝、铁、锌、铜、金、铂、钛、镍铬合金、氮化钛、硅化钛中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的高气密性的微型热导检测器，其特征在于，所述检测器的微桥结构的构成材料为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅薄膜中的一种或几种。

8.一种如权利要求1所述的高气密性微型热导检测器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)清洗硅片；

(2)在经步骤(1)清洗的硅片的表面旋涂一层光刻胶，光刻显影出热敏电阻和电极的图形；然后，采用反应离子刻蚀技术，刻蚀硅的深度为0.2～4μm;去除光刻胶；

(3)在经步骤(2)处理的硅片的表面，采用化学气相沉积法沉积厚度为0.1～2μm的第一绝缘薄膜层；

(4)在经步骤(3)制备的第一绝缘薄膜层的表面，旋涂一层光刻胶，光刻显影出热敏电阻和电极的图形；然后，采用电子束蒸发或者磁控