CN113193475A 一种同轴封装的25g高速激光器及制作方法 （广州安晟半导体技术有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113193475A

(43)申请公布日2021.07.30

(21)申请号202110614437.4

(22)申请日2021.06.02

(71)申请人广州安晟半导体技术有限公司

地址510700广东省广州市黄埔区科学大

道18号A栋410房

申请人东莞铭普光磁股份有限公司

(72)发明人张韶轩蔡其东邓福海李坤

(74)专利代理机构深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙)44489

代理人王庆海刘军锋

(51)Int.CI.

HO1S5/02345(2021.01)

HO1S5/024(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种同轴封装的25G高速激光器及制作方法

(57)摘要

CN113193475A本发明提供一种同轴封装的25G高速激光器及制作方法，包括T056管座、T056管帽、背光探测器芯片、热沉块以及25GDFB激光器芯片，热沉块固定在T056管座的接地管脚上，热沉块上设有相互绝缘的第一镀金属层以及第二镀金属层；25GDFB激光器芯片固定在热沉块上，25GDFB激光器芯片的正极通过引线引出至第一镀金属层，25GDFB激光器芯片的负极与第二镀金属层电连接；第一镀金属层通过多根并联的键合金线与T056管座的第一管脚电连接，第二镀金属层通过多根并联的键合金线与T056管座的第二管脚电连接。本发明提供的25G高速激光器，稳定性较高

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CN113193475A权利要求书1/2页

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1.一种同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，包括T056管座、罩在所述T056管座上方的T056管帽、背光探测器芯片、热沉块以及25GDFB激光器芯片，其中：

所述背光探测器芯片固定在所述T056管座的中央，所述热沉块固定在所述T056管座的接地管脚上，所述热沉块上设有相互绝缘的第一镀金属层以及第二镀金属层；

所述25GDFB激光器芯片固定在所述热沉块上，并且位于所述背光探测器芯片的正上方，所述25GDFB激光器芯片的正极通过引线引出至所述第一镀金属层，所述25GDFB激光器芯片的负极与所述第二镀金属层电连接；

所述第一镀金属层通过多根并联的键合金线与所述T056管座的第一管脚电连接，所述第二镀金属层通过多根并联的键合金线与所述T056管座的第二管脚电连接。

2.根据权利要求1所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述25G高速激光器还包括陶瓷垫块，所述陶瓷垫块固定设置在所述T056管座的中央，所述背光探测器芯片固定设置在所述陶瓷垫块上。

3.根据权利要求2所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述陶瓷垫块通过导电银胶与所述T056管座贴合固定，所述背光探测器芯片通过导电银胶与所述陶瓷垫块贴合固定。

4.根据权利要求2所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述陶瓷垫块上设有第三镀金属层，所述背光探测器芯片的负极与所述第三镀金属层电连接，所述第三镀金属层通过键合金线与所述T056管座的第三管脚电连接。

5.根据权利要求1所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，

所述第一镀金属层以及所述第二镀金属层，设置在所述热沉块靠近所述25GDFB激光器芯片的一面；

所述25GDFB激光器芯片靠近所述热沉块的一面为所述25GDFB激光器芯片的负极，所述25GDFB激光器芯片的负极通过金锡共晶物与所述热沉块的第二镀金属层焊接。

6.根据权利要求1所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述T056管帽上设有透镜，所述透镜位于25GDFB激光器芯片的正上方，所述透镜中心与所述25GDFB激光器芯片的出光口同轴对准。

7.根据权利要求1所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述T056管帽焊接在所述T056管座上。

8.根据权利要求1所述的同轴封装的25G高速激光器，其特征在于，所述热沉块通过金锡共晶物焊接到所述T056管座接地管脚的上表面，所述25GDFB激光器芯片通过金锡共晶物焊接到所述热沉块上。

9.一种同轴封装的25G高速激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

将陶瓷垫块固定在T056管座的中央，将背光探测器芯片固定在所述陶瓷垫块上；

将热沉块