《十五五光伏行业氮化镓（GaN）功率器件在高效逆变器中的应用投资》.pptxVIP

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一、二、三、四、五、六、七、八、九、十、一、前瞻洞察：为什么说氮化镓是开启十五五光伏逆变器效率革命与成本跃迁的核心钥匙？专家视角下的底层材料逻辑与能源转型必然性深度剖析

（一）核心痛点与材料突破：硅基器件的物理极限已至，解析氮化镓宽带隙特性如何直接破解光伏逆变器提升转换效率与功率密度的双重瓶颈

当前，光伏逆变器的效率提升已进入“寸土寸金”的微争时代。传统硅基IGBT和MOSFET受限于材料本身，其导通电阻、开关速度、高温性能等已逼近物理极限，成为制约逆变器效率（普遍在99%以上徘徊）和功率密度进一步跃升的核心瓶颈。氮化镓作为第三代半导体材料的代表，其宽带隙（3.4eV）