CN112736130A 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法 （西安电子科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN112736130A

(43)申请公布日2021.04.30

(21)申请号202011644255.3

(22)申请日2020.12.31

(71)申请人西安电子科技大学

地址710071陕西省西安市太白南路2号

H01L29/778(2006.01)

H01L21/335(2006.01)

杨翠高北鸾

王海永杜鸣马佩军张进成

郝跃

(74)专利代理机构陕西电子工业专利中心

61205

代理人王品华朱红星

(51)Int.CI.

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/08(2006.01)

HO1L29/10(2006.01)

HO1L29/20(2006.01)

权利要求书2页说明书11页附图4页

(54)发明名称

氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN112736130A本发明公开了一种氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制作方法，主要解决现有氮化镓基器件有电流崩塌和实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3);该势垒层左侧边缘设有源槽(7),其上部淀积有源极(9),右侧边缘设有漏槽(8),其上部淀积有漏接触(10),势垒层上部设有栅岛(4),其上部淀积有栅极(14);该栅岛右边势垒层上设有浮岛(5)和漏岛(6),该浮岛上部淀积有浮岛金属(11),该漏岛上部淀积有漏岛金属(12),且浮岛与漏接触之间设有凹槽(13),其内部和上部淀积有肖特基接触(15)。本发明正向阻断与反向阻断

CN112736130A

浮岛

浮岛

漏岛金属12

钝化层16

肖特基接触

源极9

势垒层3

凹槽13

过渡层2

衬底1

(2n-1)个P型半导体块

漏接触10

H2

CN112736130A权利要求书1/2页

2

1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3),势垒层(3)的左侧边缘设有源槽(7),其上部淀积有源极(9),势垒层(3)的右侧边缘设有漏槽(8),其上部淀积有漏接触(10),势垒层(3)的上部设有栅岛(4),其上部淀积有栅极(14),其特征在于：

所述栅岛(4)右边的势垒层(3)上依次设有浮岛(5)和漏岛(6),浮岛(5)的上部淀积有浮岛金属(11),漏岛(6)的上部淀积有漏岛金属(12),浮岛(6)与漏接触(10)之间设有凹槽(13),其内部和上部淀积有肖特基接触(15);

所述浮岛(5)包括2n-1个大小相同的独立P型半导体块，且以第n个独立P型半导体块为中心呈左右对应放置，n≥1;

所述漏岛(6)的高度与浮岛(5)中每个独立P型半导体块的高度f相同，其包括m个P型半导体长方体块，m≥1;

所述势垒层(3)、栅岛(4)、浮岛(5)、漏岛(6)、源极(9)、漏接触(10)、浮岛金属(11)、漏岛金属(12)、栅极(14)和肖特基接触(15)的上部均包裹钝化层(16)。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于：

所述势垒层(3)的高度h为5～100nm;

所述栅岛(4)的高度g为5～500nm,掺杂浓度为4×101?~5×102?cm?3。

3.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅或石墨烯材料。

4.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述浮岛(5)中每个独立P型半导体块的宽度t、高度f均相同，t取值为0.2～10μm,f取值为1～400nm,且f小于栅岛(4)的高度g;各P型半导体块的掺杂浓度均为4×101?~5×102cm?3。

5.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述漏岛(6)由m个等间距的P型半导体长方体块组成，其间距j为0.1μm～40μm,m≥1,且每个长方体块的宽度a为0.2μm～50μm,长度b为0.1μm～40μm,高度f为1～400nm,各P型半导体块的掺杂浓度为4×101?~5×102cm3。

6.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述凹槽(13)的宽度c为0.2μm～10μm,深度e为1～150nm。

7.根据权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述浮岛(5)以第n个独立P型半导体块为中心，其左侧的第一个独立P型半导体块与栅岛(4)的