CN113224154A 高电子迁移率晶体管及其制作方法 （联华电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(43)申请公

(10)申请公布号CN113224154A布日2021.08.06

(21)申请号202010081665.5

(22)申请日2020.02.06

(71)申请人联华电子股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人许祐铭陈彦兴杨宗穆王俞仁

(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所

11105

代理人陈小雯

(51)Int.CI.

HO1L29/778(2006.01)

HO1L21/335(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

权利要求书2页说明书7页附图5页

(54)发明名称

高电子迁移率晶体管及其制作方法

(57)摘要

CN113224154A本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包括基底、P型III-V族化合物层、栅极电极以及含碳层。该P型III-V族化合物层设置于该基底上，且该栅极电极设置于该P型III-V族化合物层上。该含碳层设置于该P型III-V族化合物层下方，作为一扩散阻挡层以阻挡该P型III-V

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1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：

基底；

P型III-V族化合物层，设置于该基底上；

栅极电极，设置于该P型III-V族化合物层上；以及

含碳层，设置于该P型III-V族化合物层下方。

2.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该含碳层中碳原子的掺杂浓度为每立方厘米1E15至1E21。

3.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该含碳层包括碳化硅或碳掺杂III-V族化合物。

4.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该碳掺杂III-V族化合物包括碳掺杂氮化镓(C:GaN)、碳掺杂氮化铝镓(C:AlGaN)、碳掺杂硅(C:Si)或碳掺杂氮化硼(C:BN)。

5.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该P型III-V族化合物层包括第一厚度，该含碳层则具有第二厚度，该第二厚度为该第一厚度的百分之一至十分之一。

6.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该P型III-V族化合物层还包括二价掺质。

7.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该二价掺质包括镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、铍(Be)或铁(Fe)。

8.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该P型III-V族化合物层包括一复合层结构，该复合层结构包括由上而下依序堆叠的第一P型III-V族化合物层以及第二P型III-V族化合物层，该第一P型III-V族化合物层的材质不同于该第二P型III-V族化合物层。

9.依据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括通道层，设置在该基底上，该含碳层设置于该P型III-V族化合物层与该通道层之间。

10.依据权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括阻障层，设置在该P型III-V族化合物层与该通道层之间，并位于该含碳层的上方或下方。

11.依据权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该阻障层包括氮化铝镓(Alx?Ga1-x?N),其中，x1为大于零且小于1的常数。

12.依据权利要求10所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括间隔层，设置在该阻障层下方。

13.依据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该阻障层包括氮化铝镓(Alx?Ga1-x2N),其中，x2为大于等于零且小于1的常数。

14.依据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该间隔层位于该含碳层的上方或下方。

15.依据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该间隔层包括不同于该阻障层的III-V族材质。

16.依据权利要求12所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，该间隔层的厚度介于1纳米至5纳米之间。

17.依据权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括由上而下依序堆

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叠的超晶格层、过渡层及成核层，设置于该基底上并位于该通道层下。